氮化镓薄膜的研究现状.pdfVIP

氮化镓薄膜研究现状 张建强，朱君山。张红娣，张建峰，刘彩池 (河北工业大学半导体材料研究所，天津300130) 波段晟有应用前途的光电子材料．由于其优良的性能，近几年成为国际上研究的热点，本文系统讨论了GaN薄膜的 研究发展现状． 引 言 GaN是继Si、GaAs之后又一代重要的半导体材料，因为它的禁带宽度宽，室温下禁带宽度为 3．39eVlll，且是直接带隙，在制备蓝紫光光电子器件如发射二极管、激光器、探测器件以及大功率高 速微电子器件方面有很好的应用前景。另外，化学稳定性极好(几乎不被任何酸腐蚀)，因此它有 望制成在高温辐射等恶劣环境下工作的半导体器件口j。 非掺杂的GaN均为n型，本底电子浓度在10“～4×10‘6cml左右，呈现高电导tp—GaN一般 属补偿材料，目前可控制杂质浓度在lO”～1020cllll之间，著能对材料退火来实现P型导电。 氮化镓薄膜的生长方法 外还有卤化物气相外延(HVPE)、原子束外延(^LE)等。下面就～些典型的工艺进行介绍。 1．分子束外延(MBE) MBE技术是真空外延技术。在真空中，构成外延膜的一种或多种原子，以原子束或分子束形 式像流星雨般的落到村底或外延面上，其中一部分经过物理一化学过程，在该面上按一定结构有序 排列，形成晶体薄膜。镓、铝或铟分子束是通过在真空中加热和蒸发这些III族元素形成的。而V族 氮分子束则有不同的形成方式：有直接采用氨气作为氨源的分子束外延，也有用N2等离子体作为氮 源的。 MBE技术的优点是：生长反应过程简单；可以实时表征或监控生长表面的结构、成分以及生 长条件生长温度较低；没有气相外延中与气流有关的材料不均匀性问题。但MBE技术也存在一些 缺点，如设备复杂、投资大、外延生长速度慢、经济效益差。在外延膜的质量上也存在有表面缺陷 密度大的缺点。 2金属有机化学气相沉积(MOCVD) 分解进行气相外延生长的先进技术。是当前生长GaN材料虽主要的手段。 MOCVD法是用氢气把金属有机物蒸气和气态非金属氢化物送入反应室，然_f亓利用热来分解化 合物。多采用两步生长法进行，即先在一定的低温条件下生长一定厚度的缓冲层，再升到高温生K 外延层。涉及的主要反应式为(TMGa和NH3分别是III、V族源)”J： n=l～3 预反应：G《CH3)3十NH3一Ga(CH3)·nNH3 低丁500℃ 2十CH4 高于1000℃ 生成反应：Ga(CH3)3十NH3一GdN十H 为：当高速的气流流过衬底表面时，粘滞力的作州会使之在衬底表面形成一层很薄的停滞层。反应 物质必须经过该层扩散到衬底表面后才能完成最终的反应生长。因此外延材料生K的速度决定丁反 应物质的气流辅运时间、停滞层中扩散时间以及衬底表面反应时间。一般情况F，化学反应时间和 大气流下的辅运时间都很短，停滞层中反应物质的扩散时间是影响生长速度的主要冈素。 到原子级的薄膜，从而又可以制成各种薄膜结构型材料，例如量子阱、超品格材料。(2)可以制成 缺乏实时原位监测生长过程的技术。最近提出的用表面吸收谱来实现原位监测的技术，虽然由于设 备昂贵，还不能广泛应用，但它已为MOCvD的原位监测开辟了一条途径。 3．氢化物气相外延(HVPE)[41 蒸气，当它流到下游，在衬底或外延面上与N}Ia反应，沉积形成GaN。 氢化物法的特点就在反应易于控制，Ga和HCl的反应通常可以进行彻底，反应后几乎不残存 (可达100um／h)，可生长很厚的膜，从而减少来自衬底的热失配和晶格失配对材料性质的影响。 但是由于气源的纯度有限，难于获得高纯度的外延层“’：生长速度快，故膜厚不易控制，且HCl气 体腐蚀设备，提高其纯度难度大。 4．原子束外延(ALE) 首次提出。由于放置衬底的基座是旋转的，受调制的反应气流连续流向基座，交替供给源材料即可 以控制单晶外延生长，所以这种技术正日益受到材料科学家的关注和青睐。 ALE最重要的特点是具有自限制机制，即其生长速度与生长温度、反应物流量等主要生长参数 无关，自动达到饱和。所以这