PMNPNNPZT四元系压电陶瓷在准同型相界处的压电介电性能研究.pdfVIP

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PMNPNNPZT四元系压电陶瓷在准同型相界处的压电介电性能研究.pdf

PMN-PNN-PZT 四元系压电陶瓷在准同型相界处的 压电介电性能研究1 刘培祥,孙清池,何杰,李红元 天津大学材料学院,天津(300072 ) E-mail :liupeixiang1130@ 摘 要:本文研究了PMN-PNN-PZT 四元系压电陶瓷在准同型相界处的压电介电性能。研究结 果表明,Ti 含量在0.370 和0.374 之间变动时,体系位于准同型相界附近,相结构逐渐由三方相 -12 向四方相转变。当 Ti =0.373 ,烧结温度 1180℃时,各性能达到最佳:d33 =537×10 C/N, T ε / ε =3384,k =0.57, Q =114 。 33 0 p m 关键词:准同型相界,四元系,压电陶瓷,先驱体合成 中图分类号:TM282 文献标志码:A 0. 前言 压电陶瓷在电子功能材料领域中占据相当大的比重,近年来,为了满足不同的使用要求, 材料研究工作者一方面从老材料中发掘新效应,开拓新应用;另一方面积极地开发新型的压电 [1] [2-4] 功能陶瓷 。 大量研究表明 ,各种弛豫铁电体固溶物与PZT陶瓷结合而形成的三元系、四元 系、五元系压电陶瓷系统,以及对这些系统进行离子置换和掺杂改性,可获得高介电、高压电 性能的陶瓷材料,并且多元系压电陶瓷的性能也可以在很大范围内调节,故而现在成了人们的 研究重点,也使压电陶瓷的研究前景更为广阔。 Pb(MN Nb )O -Pb(Zr Ti)O 三元系材料是典型的“硬性材料”,其特点是机械品质因数Q 1/3 2/3 3 3 m [5] 值高,介质损耗小,时间稳定性好,机电耦合系数K 可以在宽广范围内调节 。而 p Pb(Ni Nb )O -Pb(Zr Ti)O 三元系材料具有“软性材料” 的特点,如有很大的介电常数,高的机 1/3 2/3 3 3 [5] 电耦合系数,相对低的烧结温度等 。据已有的研究报道,结合这两个三元系统而形成的 PMN-PNN-PZT 四元系统压电陶瓷,具有高压电介电常数,高机电耦合系数,低烧结温度,能满 足压电换能器和压电驱动器的使用要求[6-7] 。 准同型相界(MPB )是材料随组成的变化出现的不同相结构共存的区域,在这个区域中,系 统的微小能量变化就会引起这两种相结构的转化,晶胞的可畸变性提高,从而提高了系统的可 极化度,使得压电陶瓷在准同型相界附近有异常突出的介电和压电性能[8] 。目前对 PMN-PNN-PZT系统准同型相界处性能的研究还鲜有报道,本文选定PMN-PNN-PZT 四元系统在 准同型相界处的配方组成,深入研究了Ti含量对准同型相界处的压电介电性能的影响,并探讨 了性能变化的微观机制。 1. 实验 1.1 样品制备 选取实验配方Pb(Mg Nb ) (Ni Nb ) Ti Zr O (x=0.370-0.374) 。采用分析纯的氧化 1/3 2/3 0.25 1/3 2/3 0.15 x 0.6-x 3 物原料Pb O ,Nb O ,Ni O ,ZrO ,TiO ,MgO。实验所用的MgO 以碱式碳酸镁 (MgCO ) Mg(OH)

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