自旋电子学材料.pdfVIP

第十一膳全国磁学和磁性材料会议论文燕 囊旋电子学材料 张凤呜，都有为，倪踟 南蜜走学霹律微结构蓠家实验室和耪理系， 南京210093 攮薹傍为当燕国鼯土的裁蹬毋究学辞之一，是捷电子学受载≯了入螂援大姆关注。了簿电予壹接糍 关现象的物理本质以及开发具有新塑功能的工作器件是自燕电子学的两太目标．而有关材料老面的工作又 构成了目前该领域最重要的努力方向．本文对陶际上自旋电子学领域的材料研究的巍状和发展作了舟绍． 1．前言 人们已经认识到i除了电搿以外，电子的另一固鸯特性一自嶷一建开发具有特殊功髓的器锋方面极 其潜力[1，2]。作为自旋电子学的物质基础，相关材料起饕非常重要的作用。首先，磁性半导体因其 特臻的性能；}起了人们的高度羹视e3j。～方面，磁性半导体可以提供自旋极化的载流子：另一方瑟， 磁搜半导俸叉可戳较容爨撼与半导体器体送箭集成。邂常，有实糟意义酶磁性半暂体戍其有这样两个 特点：亵予窒湿的羼墨瀑发和熊够进行n型秘P型掺杂。其次，其有超过室澈屡璺温度兹半金耩撼辩 因其较高的自旋极化攀也倍受关注[4]。很明显，开发耨型材料仍垮是自旋电子学领域的主要工作之 一o 2．主要内容 2．1磁性半导体 2．1．1掺瓤的钙钛矿结构化合物 行了太耋的磷究[s】。这种混合价黼氧德物的铁磁性起源予包禽渤“和枷“离予的d电子之间的虢 越冀铁磁窘撬耦合熬双交按律怒。尽管这类他会魏其誊薪期望静态予室溢的瑶里漩麦(约麓350K)， 但人们一直未能德到令人满意的半导体性能。 2．1．2具有岩救结构的Eu他含物和含cr的尖照石 的磁学特往取决予其内部存的葳铁磁和锻激越交按作丽之间的竞争。由予对称往的原因，铁磁性的s—f 辍合作鼹毙起爱铁獾性鳇p-d杂诬毫子熬耀虽俸嗣强。困忿，萁最终表残为铁磁镶。 因而表现为铁磁超交换作用。 最然这些亿台物同时其有很好的铁磁性髓和半导体特性。但因萁居里温度较低(一般低于lOOK)， 饔这翻窘旋电子学静遥耀要求，还宥穰大的薤筢。 2，l。3掺赫鲍ll一娃翱III--y半导体 最近，人们在擞性半导体材料方面开展襁比较多的工作是通过对II-VI和III～V他含糖半导体进 行过渡旗金属(特剐是№)的掺杂[7]。在ll-Vl半导体中，蜘取代阳离子的位置；而由于Mn与III-V 半导体材辩不踅溶。通常只能采厢非平衡的生长技术来进行Ill-V半导体中Mn的掺杂。另外，实骏 发褒，要得舞理想豹磁学毪稚，黼静含薰必须适中：细粟太高，将会漕加反锾磁耩合和可艟的无序 造成的皂{}偿；如果太低，出于RKKY终耀，会嫠键耗豹蠡旋之瓣瓣交换耦台静符号藤梳诧，献磊导 致材料表现出自旋玻璃特性而非所期望的铁磁特性。 目前，人们在掺Mn的II—VI半导体中所得到的居爨温度低于IOK，而在掺骱的III—V半导体中， 谐里漩度涎达llOK左右[7]，并正呈继续上升趋势。人们预期。孙掺杂的Ga^s将会作为最具希望进 57 苎±=星全里壁兰塑壁丝茎壁垒丝垒茎叁 一—— 入实际应用的磁性半导体材料。 2．2半金属(halfletals) 2．2．1 氧化物 最典型的半金属氧化物是Fen。研究表明[8]，Fe。仉具有MgAl。仉的尖晶石结构，其居里温度为 865K。尽管低温具有大磁电阻效应，但室温其值甚低。但是，最近人们发现，在7mT和室温条件下，Fe。0t 晶粒之间的纳米接触存在超过500％的磁电阻效应。在zn代换的Fe。oI纳米复合结构中也发现室温 具有巨大的隧道磁电阻效应[9]。 作为唯一的存在铁磁金属特性的二元氧化物，CrO。也引起了人们的极大兴趣。Croz的的居里温度 为400K。具有金红石结构。虽然在信息磁记录领域，Cr0。己得到了广泛的应用。但人们对其电子结 构几乎一无所知。能带结构计算预言c10]，Cr02是半金属铁磁体，即具有100％的自旋极化导带。但 在常温下尚束发现大的磁电阻效应。其原因尚不清楚． 2．2．2Heusler舍金