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纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性.pdf
微/ 纳工艺 、材料与器件
Micro/ Nano Technology , Material and Device
纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性
1 1 1 1 2
申继伟 , 郭亨群 , 曾友华 , 吕蓬 , 王启明
( )
1 华侨大学 信息科学与工程学院, 福建 泉州 362021 ; 2 中国科学院 半导体研究所 , 北京 100083
摘要 : 为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制 , 实验采用射频磁控反应溅
射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料 。利用红外光谱 ( IR) 、X 射线衍射谱
(XRD) 、能谱 ( EDS) 和光致发光谱 (PL) , 对不同工艺条件下薄膜样品的成分 、结构和发光特
性进行研究 , 发现在制备的富硅氮化硅薄膜材料中形成了纳米硅颗粒 , 并计算出其平均尺寸 。在
510 nm 光激发下 , 观察到纳米硅发光峰 , 对样品发光机制进行了讨论 , 认为其较强的发光起因
于缺陷态和纳米硅发光 。
关键词 : 射频磁控反应溅射 ; 氮化硅薄膜 ; 纳米硅 ; 光致发光
中图分类号 : TN30592 文献标识码 : A 文章编号 : 1003353X (2007)
Preparation and Photoluminescence Properties of Nanocrystalline Si
Embedded in SiN Thin Films
SHEN Jiwei1 , GUO Hengqun1 , ZENG Youhua1 , L Peng1 , WANG Qiming2
( 1 College of Information Science and Engineering , Huaqiao University , Quanzhou 362021 , China ;
)
2Institute of Semiconductors , Chinese Academy of Sciences , Beijing 100083, China
Abstract : In order to study preparation process and PL mechanism of silicon nitride thin films , the nc
Si (nanocrystalline Si ) embedded in silicon nitride thin films were prepared by RF magnetron reaction
sputtering technique and thermal annealing. Comparison with these films prepared by different process recipes
such as sputtering gas pressures and annealed temperatures , IR , XRD , EDS and PL techn
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