汇编与组成第6章.pptVIP

静态存储器是在计算机的运行过程中不需要刷新的半导体存储器，一旦通电，就长期保存信息 动态存储器是在计算机的运行过程在需要不断刷新的半导体存储器，计算机运行期间需定期地向存放“1”的电容重新充电以补充沿泄露通路泄露掉的电荷。 1、静态RAM的工作原理 1、静态RAM的工作原理 1、静态RAM的工作原理 1、静态RAM的工作原理 存储器容量的扩展 1、位扩展 位扩展指的是用多个存储器器件对字长进行扩充。 位扩展的连接方式是将多片存储器的地址、片选CS、读写控制端R/W相应并联，数据端分别引出。 存储器容量的扩展 1、位扩展 存储器容量的扩展 1、字扩展 字扩展指的是增加存储器中字的数量。静态存储器进行字扩展时，将各芯片的地址线、数据线、读写控制线相应并联，而由片选信号来区分各芯片的地址范围。 2、字扩展 （2）采用专用译码器扩展 常用的采用专用译码器有2 ：4线译码器74139、3 ：8线译码器 74138和4 ：16线译码器4067等。使用是比较方便。 例如：主存储器容量为64K*8位,而选用的存储器芯片容量为 16K*8位，那么主存储器由4个芯片组成。片外高位地址A15A14采 用2 ：4译码器进行选择，16K芯片内的低14位地址直接连到地址总 线的A13~A0上，电路如图4.8.3所示。各片地址范围如表： 2:4译码器 3、字位全扩展 如果一个存储容量为M 字?N位 所用芯片规格为L字 ?K位 那么这个存储器共用M/L ?N/K个芯片 例如：要组成16M ?8位的存储器系统，目前有芯片规 格为4M ?1位,需用16M/4 * 8/1=32片，如图4.8.4所示。图 中每行8片构成一个字节，是位扩展；4列构成4M为字扩 展。 若有芯片规格为2M ?4位 则需用16片 若有芯片规格为8M ?8位 则需用2片 各排芯片的地址范围（从下到上排列）如下： A23A22 A21A20A19------A0 1. 0 0 0 0 0 ----- 0 000000H~ 0 0 1 1 1 ------- 1 3FFFFFH 2. 0 1 0 0 0 ----- 0 400000H~ 0 1 1 1 1 ------- 1 7FFFFFH 3. 1 0 0 0 0 ----- 0 800000H~ 1 0 1 1 1 ------- 1 BFFFFFH 4. 1 1 0 0 0 ----- 0 C00000H~ 1 1 1 1 1 ------- 1 FFFFFFH B Y0 Y1 A Y2 Y3 A13 CS A12 # 4 16K*8位 A0 WE D7~D0 A13 CS A12 # 3 16K*8位 A0 WE D7~D0 A13 CS A12 # 2 16K*8位 A0 WE D7~D0 A13 CS A12 # 1 16K*8位 A0 WE D7~D0 A15 A14 A13 A12 * * * A0 WE D7~D0 位方向 字方向 存储器扩展方法 位 扩 展 字 扩 展 字 位 扩 展 CS I/O A0~A21 R/W 8 片 4片 A22 S=16M*8位 D0 CS I/O 4M*1位 A21~A0 R/W CS I/O 4M*1位 A21~A0 R/W CS I/O 4M*1位 A21~A0 R/W CS I/O 4M*1位 A21~A0 R/W A21~A0 译码器 Y0 Y3 2-4 译码器 A23 R/W 图4.