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超声物理气相沉积法制备（00l）取向HgI2膜的研究.pdf
第26 卷 第3 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 26 No. 3
2011 年3 月 Journal of Inorganic Materials Mar. , 2011
文章编号: 1000-324X(2011)03-0261-04 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2011.00261
超声物理气相沉积法制备(00l)取向 HgI2 膜的研究
苏青峰 1, 史伟民 1, 王林军 1, 李东敏 2, 夏义本 1
(1. 上海大学 材料科学与工程学院, 上海 200072; 2. 上海西域机电系统有限公司, 上海200131)
摘 要: 超声波作用下, 采用热壁物理气相沉积法在相对较低温度下(90 ℃)成功制备了(00l)取向多晶碘化汞膜, 分
析了超声工艺对(00l)取向多晶碘化汞膜质量的影响. 采用X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱
仪(Raman)对(00l)取向多晶碘化汞膜进行了表征. 结果表明, 超声波作用下, 相对较低的生长温度能够获得高质量
(00l)取向多晶碘化汞膜, 同时超声波工艺不仅能够明显改善多晶碘化汞厚膜的质量而且能提高生长速率.
关 键 词: 碘化汞膜; 多晶; 物理气相沉积; 超声波
中图分类号: O484 文献标识码: A
Effects of Ultrasonic Process on Properties of (00l)-oriented HgI Films by
2
Hot-wall PVD
1 1 1 2 1
SU Qing-Feng , SHI Wei-Min , WANG Lin-Jun , LI Dong-Min , XIA Yi-Ben
(1. School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200072, China; 2. Shanghai Westingarea
ME System Co. Ltd, Shanghai 200137, China)
Abstract: Polycrystalline (00l)-oriented HgI films were prepared on ITO glass substrate by the modified Water
2
Bath Hot Wall Physical Vapor Deposition method in the ultrasonic wave field. High quality polycrystalline
(00l)-o
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