ESD保护方法的比较分析.pdfVIP

ESD保护方法的对比分析 上网时间：2007-09-12 在人们的日常工作生活中，静电放电(ESD)现象可谓无处不在，瞬间产生的上升时间低于纳秒(ns)、持续时间可达 数百纳秒且高达数十安培的电流，会对手机、笔记本电脑等电子系统造成损伤。 对于电子系统设计人员而言，如果没有采取适当的ESD保护措施，所设计的电子产品就会有遭到损伤的可能。因 此，电子系统设计中的一项重要课题便是确保使其能够承受ESD的冲击，并继续正常工作。 ESD保护方法 为了给电子系统提供ESD保护，可以从不同的角度来着手。一种方法是在半导体芯片内建ESD保护架构。不过， 日趋缩小的CMOS芯片已经越来越不足以承受进行内部2 kV等级的ESD保护所需要的面积。安森美半导体标准产 品部亚太区市场营销副总裁麦满权指出：真正有效的ESD保护是不能完全集成到CMOS芯片之中的！ 其次，也可以在物理电路设计方面下功夫，较敏感的电路元件应该尽量远离通孔或接缝处，如果可能的话，线缆连 接器的接地应该要在系统信号引脚接触前先连接到系统的接地，通过这样的方式，线缆上所发生的放电事件就比较 不会造成干扰或破坏。 此外，软件也能够为ESD设计作出贡献。系统连接的感测器比较容易受到ESD的冲击，造成接口电路的锁住情 况，而能够感测锁住情况的软件则可以用来重置接口电路且无须操作人员的介入。 不过，总是有部分电路点较为敏感，同时也很难与外部隔离。因此，最有效的方法是使用保护元件来将电流导离较 敏感的元件。也就是在电子系统的连接器或端口处放置ESD保护元件，使得电流流经保护元件，且不流经敏感元 件，以维持敏感元件的低电压，使其免受ESD应力影响，进入有效控制ESD事件的发生，如图1所示。当然，合格 的ESD元件必须具有低泄漏和低电容，且在多重应力作用下功能不下降，从而不降低电路的功能。 常见ESD保护元件分类 安森美半导体来自美国的ESD保护专家Robert Ashton博士说，一般而言，ESD保护元件的分类可以通过其保护策 略与方向性来进行，主要包括压敏电阻、聚合物和瞬态电压抑 制器(TVS)等，如表1所示。在这几种保护元件中， 压敏电阻在低电压时，呈现出高电阻，其中的每个小型二极管两端的电压都相当低，同时电流也相当小；而在较高 电压时，其中的独立二极管开始导通，同时压敏电阻的电阻会下降。从表1中我们也可以看出压敏电阻为双向保护 元件。而对于带导电粒子的聚合物而言，在正常电压下，这些材料拥有相当高的电阻，但当发生ESD冲击时，导 电粒子间的小间隙会成为突波音隙阵列，从而带来低电阻路径。 瞬态电压抑制器(TVS)则为采用标准与齐纳二极管特性设计的硅芯片元件。TVS元件主要针对能够以低动态电阻承 载大电流的要求进行优化，由于TVS元件通常采用集成电路(IC)方式生产，因此我们可以看到各种各样的单向、双 向及以阵列方式排列的单芯片产品。 利用屏幕截图和TLP进行ESD保护元件的大电流性能鉴定 Ashton博士说在正常工作条件下，ESD保护元件应该保持在不动作状态，同时不会对电子系统的功能造成任何影 响，这可以通过维持低电流以及足以在特定数据传输速率下维持数据完整性的低电容值来达成。而在ESD应力冲 击或者说大电流冲击条件下，ESD保护元件的第一个要求就是必须能够正常工作，要有够低的电阻以便能够限制 受保护点的电压；其次，必须能够快速动作，这样才能使上升时间低于纳秒的ESD冲击上升时间。 众所周知，对于电子系统而言，它必须能够在IEC 61000-4-2标准测试条件下存续。虽然大部分的ESD保护元件都 宣称能够承受IEC 61000-4-2所指定的应力冲击等级，如8 kV或第四级(Class 4)，但业界却没有公认的ESD保护元 件大电流抑制特性测试的合格标准。对此，安森美半导体给出了自己的定义，也就是在±10 kV应力电压 (高于8 kV)测试下，被测器件仍然符合其数据表规范，且器件特性没有显著变化。不过，要比较不同ESD保护元件的大电 流抑制特性，还需要对其进行测试鉴定。而通过对不同ESD保护元件施加大电流冲击所产生的波形的屏幕截图对 比，是重要的第一步。 图3的屏幕截图就是这样一个范例。从图中可以看出，安森美半导体的TVS元件可以迅速将ESD应力降低，即从8 kV静电电压钳位到5至6 V的水平；但压敏电阻的曲线则下降得很慢，而且无法降到很低的水平。该曲线表明， TVS器件的恢复时间非常短，经过TVS器件泄漏到后面电路的能量也非常少，特别适合于便携式设备的应用。 在多重应力条件下，两者的差别就表现得更为突出。由于TVS采用二极管工作原理，受到电击后，会立即击穿，然 后关闭，对器件没有损伤，因此可以说没有