GaAsGe太阳电池异常IV特性曲线分析.pdfVIP

第26卷增刊 半导体学报 V01．26 0FSEMICONDUCTORS 2005年6月 CHINESEJOURNAL 涂洁磊1’2 王亮兴1 张忠卫1 池卫英1 彭冬生1 陈超奇1 (1上海空间电源研究所，上海200233) (2云南师范大学太阳能研究所，昆明650092) 形成附加结或附加势垒；并获得与实验有很好吻合的计算模拟结果，进一步证实了理论分析．此外，在上述分析的 电池． 关键词：GaAs／Ge太阳电池；Fy特性曲线；计算机模拟；界面扩散 PACC：0270；8630；6800 中图分类号：TN304．2+3文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2005)SO—0192一04 能异常．本文分析了实际生产中出现的}V特性曲 1 引言 线异常现象，采用物理模型进行模拟分析，解释出现 异常的原因，并由此提出改进措施，成功制得了高效 GaAs太阳电池以其高的光电转换、强的抗辐率GaAs／Ge太阳电池． 照能力以及好的耐高温特性等优越性能已成为空间 电源系统的首选．但传统的GaAs／GaAs太阳电池2 实验 由于GaAs单晶衬底材料的成本高、机械强度差，以 及半导体材料生长技术的不断提高，逐渐被GaAs／ Ge太阳电池所取代．后者因Ge材料的机械强度(MOCVD)技术(Aixtron 高、价格低，与GaAs晶格常数和热涨系数等参数相 近，可制备光伏性能相当，具有更高重量比功率的 GaAs／Ge太阳电池，在空间电源应用方面获得广泛 重视[1]，并已进入批量生产及使用阶段．80年代中件后工艺包括：光刻、制作正面和背面电极、选择性 后期，美国Spectrolab，Tecstar，Spire，意大利 CISE，日本MELC0，英国EEV等公司，采用 MOCVD技术大批量生产GaAs／Ge太阳电池，批 析界面扩散．以Spectr01ab 产平均效率已达18．o％～19．5％(AMo，1sun)．我光源，测量电池样品的光伏性能． 国也于90年代中后期，采用MOCVD技术研制 GaAs／Ge太阳电池，典型效率为19％(AMO，1sun)．3 分析讨论 然而，在Ge衬底上外延生长GaAs属于在非极 性衬底上生长极性材料，而且两种材料晶格常数和 3．1 实验结果 热涨系数的微小差异将导致反相畴和位错等晶体缺 陷[2’3]．此外，在材料生长过程中，GaAs／Ge界面的采用图1所示的太阳电池结构，可生长研制得 相互扩散[4’51都将造成GaAs／Ge太阳电池光伏性 *国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号：zM200002801) 2004—11一02收到，2004—12—19定稿 ⑥2005中国电子学会 万方数据 增刊 涂洁磊等： GaAs／Ge太阳电池异常FV特性曲线分析 池，其正常的光伏FV特性曲线如图2中曲线n所几个微米，浓度达1017～1018 示．然而在研制过程中，亦出现了如图2中曲线6，c 所示的异常曲线，其相应的电学性能由表1示出． Ge衬底内的扩散，对于较高的生长温度，As的扩散 _] 双层减反射膜 r— 浓度更高，但扩散距离很短．从而导致在GaAs／Ge p-AIpal。As窗u层 界面形成很浅的p／n附加结(随线6)．对于较低的 p-GaAs发射区 n_GaAs基区