IGBT模块应用中过电压的抑制.pdfVIP

第 36 卷第 4 期 电力电子技术 Vol. 36 ,No. 4 2002 年 8 月 　　　　　　　　　　　　　　　　Power Electronics 　　　　　　　　　　　　　　　　August ,2002 IGBT 模块应用中过电压的抑制 孙国印 (洛阳单晶硅有限责任公司 , 洛阳 　471000) 　　摘要 :寄生杂散电感会使超快速 IGB T 关断时产生过电压尖峰 ,通常抑制过电压的方法会增加 IGB T 开关损耗 或外围器件的耗散功率。介绍了有效抑制 IGB T 关断中过电压的新方法。 关键词 :模块 ;绝缘栅双极晶体管 ;过电压/ 开关损耗 ;寄生电感 ( ) 中图分类号: TN31/ 387 　　文献标识码 :A 　　文章编号 :1000 - 100X 2002 04 - 0073 - 02 Overvolta ge Suppression in Application of IGBT Module SUN Guoyin ( ) L uoyan g Single Crystal Silicon Company , L uoyan g 471000 , China Abstract :Randomexisted parasite inductances in IGB T circuit will make over voltage spike during the IGB T tunoff transient . Supressing the voltage spike is often at the expense of increasing power losses of devices in the circuit. In order to compromise these two tendences ,a new method to optimize the circuit design and its applying result are described detailly. Keywords : module ; IGB T ; overvoltage ; switching loss ; parasite inductance 1 　引　言 时 ,避免大的过电压冲击及由此引发的其他问题。 超快速 IGB T 模块具有非常短的上升时间和下 3 　IGBT 关断时的过电压 降时间 ,其开关损耗亦很小 ,通常用于频率为 20kHz 由于关断时总会有过电压,所以完全消除杂散 以上的开关电源。应用中常常因寄生电感产生过电 电感是不可能的。有许多方法可以最大限度地减小 压 ,抑制过电压的措施有 : ①模块的设计者优化模块 线路寄生杂散电感 ,封装在模块内的器件结构也可 内部结构,减少模块寄生电感 ; ②使用者优化主电路 决定电感的大小。 结构 ,减少电路中的寄生电感 ; ③采用吸收电路和增 减小线路电感可以通过缩小整个电路有效回路 加栅极电阻。 的面积来实现 ,而最有效的方法就是采用分层布线 采用吸收电路和增加栅极电阻方法会增加开关 结构。由此可大大减小线路储能 ,在给定的开关速