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低频电子线路要点 王艳庆，南昌大学电子信息工程系 2010.5 第一章 晶体二极管 半导体 本征半导体 杂质半导体 杂质半导体 P型半导体：掺入三价元素，受主杂质 N型半导体：掺入五价元素，施主杂质 半导体的导电机理 漂移：电场作用下的漂移电流 扩散：分布浓度引起的扩散电流 PN结 PN结的伏安特性PN结的击穿特性PN结的电容特性 二极管模型 理想模型 大信号模型 小信号模型 简化模型 二极管电路的分析 二极管是导通截止的判断 二极管电路分析 稳压二极管――二极管击穿特性的应用 伏安特性击穿 齐纳击穿 雪崩击穿击穿与截止的判断 稳压管电路的分析 *二极管，稳压管电路波形分析方法。 第二章 晶体三极管 电流传输方程 共基极：IC=αIE+ ICBO共发射极：IC=βIB+ ICEO共集电极：IE=（1+β）IB+ ICEOIC=βIBIE=（1+β）IB发射极到集电极电流的电流传输系数α=Ic/Ie基极到集电极电流的电流放大系数β= Ic/Ib发射极电流为0时的集电极漏电流ICBO基极电流为0时的集电极漏电流ICEO＝（（1+β））ICBO 三极管的一般模型 指数模型： 直流模型及简化模型 三极管的工作状态（模式）及判别 三极管的伏安特性曲线 输入特性曲线 输出特性曲线 四个工作区 截止，放大，饱和，击穿 三极管的小信号等效电路模型  混合π型电路模型――小信号电路计算的基础 rbe=（1+β） re=（1+β） IEQ/VTgm=α/ rerce=|VA|/ICQ 三极管直流电路分析 直流工作点，三极管的工作区（模式，状态） 图解法，近似计算法 第三章 场效应管 原理不同分为 JFET，MOSFETMOSFET可分成EMOS 和DMOS每一类型均可分为N沟道和P沟道NEMOS,NDMOS,PEMOS,PDMOS,NJFET,PJFET的 伏安特性与转移特性 输出特性曲线 四个工作区 截止，饱和，非饱和，击穿 MOS管的一般模型 ID= JFET管的一般模型 小信号等效模型 gm= 场效应管直流电路分析 直流工作点，场效应管的工作区（模式，状态） 图解法，近似计算法第四章 基本放大器 偏置电路与静态工作点 三极管（场效应管）电路的直流分析。 放大器的性能指标  输入电阻：Ri  输出电阻：Ro 增益：A *计算方法 从直流电路的分析获得晶体管的工作状态（模式，工作区），计算直流偏置（电压或电流）：IBQ, ICQ, VCEQ。从而可以获得三极管的等效参数。将三极管电路转换为基本线性电路。对于FET则是IDQ, gm。使用电路分析方法计算：Ri , Ro ,A。 基本放大器的组合状态 共基极， 共发射极 共集电极 四种增益 电压，电流，互阻，互导 源增益， 负载短路时的电流增益， 负载开路时的电压增益 直流/交流等效电路 直流等效电路：电容等效于开路交流等效电路：电容等效于短路，直流电压源等效于短路，直流电流源等效于开路。 三种组态放大器性能的比较（表） 差分放大器 差模信号 共模信号 差模电路的半电路分析法 差分放大器的差模性能：Rid, Rod, Avd, 差分放大器的共模性能：Ric, Roc, Acd, 共模抑制比KCMR=| Avd /Acd | 差模传输特性 镜象恒流源 原理：跨导线性环，由VBE1＝VBE2得IO＝IR。改进的恒流源：减小BETA影响的恒流源，比较式恒流源，微电流恒流源的基本结构。 放大器的频率特性 单极无零系统、一零一极系统的惭近波特图的画法。多级单极无零系统、一零一极系统的惭近波特图的画法。 密勒定理 三极管的BETA的上限角频率，特征频率（截止频率），ALPHA的上限角频率，以及三者的大小关系。 电路放大状态判定 *根据电路结构判定电路能否放大（根据 电源极性， 晶体管类型及 处于放大状态的条件， 信号会否开路或旁路）。 *对给定的放大器计算 rbe=（1+β） re=（1+β） IEQ/VT， gm=α/ re， rce=|VA|/ICQ。从而获得小信号等效电路。 根据小信号等效电路计算输入电阻：Ri 输出电阻：Ro增益：A，如果需要则计算增益的其他形式。 第五章 放大器中的负反馈 反馈组成 反馈类型的判别 负反馈对电路性能的影响 深度负反馈时电路的计算 负反馈的基本组成 基本放大器，反馈网络。 反馈系数 开环增益 反馈深度。 四种类型的负反馈类型 电压串联 电流串联 电压并联 电流并联 各种反馈时反馈系数的组成形式。 反馈类型的判别 据信号有从输出传递到输入的网络，确定