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* * 1.1 半导体基础 1.2 PN结 1.3 半导体二极管 1.4 半导体三极管 1.5 基本要求 1.1 半导体基础 半导体定义 特点:导电能力可控（受控于光、热、杂质等） 典型半导体材料:硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等 1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.1 本征(intrinsic)半导体 ——纯净无掺杂的半导体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 (1) 共价键结构 (2) 电子空穴对 (3) 空穴的移动 (1）共价键结构 空间排列有序的晶体 以 硅原子(Si)为例： (a) 硅晶体的空间排列 (b) 共价键结构平面示意图 电子空穴对：载流子（Carrier) 本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡! 图01.02 本征激发和复合的过程 （2）电子空穴对 本征激发（热激发） T=0 K时 电子(- ) 空穴(+) 复合 (3) 空穴的移动(导电） 空穴的运动 = 相邻共价键中的价电子反向依次填补空穴来实现的 1.1.2 杂质半导体 本征半导体缺点？ 1、电子浓度=空穴浓度； 2、载流子少，导电性差，温度稳定性差！ (1) N型半导体 (2) P型半导体 (3) 杂质对半导体导电性的影响 (1）N型半导体（电子型半导体） 掺 杂： 特 点： 多数载流子：自由电子（主要由杂质原子提供） 少数载流子：空穴（ 由热激发形成） 施主杂质 正离子 少量掺入五价杂质元素（如：磷） (2）P型半导体（空穴型半导体） 掺 杂：少量掺入三价杂质（如硼、镓和铟等） 特 点： 多子：空穴（主要由杂质原子提供） 少子：电子（ 由热激发形成） 受主杂质 负离子 (3) 杂质对半导体 导电性的影响 影响很大。载流子数目剧增 T=300 K室温下,本征硅的 电子和空穴浓度: n = p =1.4×1010/cm3 1 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3 3 以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。 2 掺杂后 N 型半导体中的 自由电子浓度: n=5×1016/cm3 第二节 典型数据如下: 1.2 PN结 1.2.1 形成 1.2.2 实质 1.2.4 电容效应 1.2.3 单向导电性 图01.06 PN结的形成过程 （动画1-3） 1.2.1 形成 两种载流子的 两种运动 动态平衡时 形成PN结 两种运动： 扩散（浓度差） 漂移（电场力） PN结的形成小结： 浓度差 ? 多子扩散?空间电荷区(杂质离子) ? 内电场 ? 促使少子漂移 ? 阻止多子扩散 当多子扩散和少子漂移达到动态平衡，形成PN结 1.2.2 实质 PN结=空间电荷区=耗尽层=内电场=电阻 1.2.3 单向导电性 单向导电性： PN结正偏时导通（大电流）， PN结反偏时截止（小电流）。 偏置(bias) (1) PN结正偏(UPUN )时 外加的正向电压削弱了内电场。 ——导通 PN结呈现低阻性 (2) PN结反偏(UPUN )时 反向饱和电流 （IS= IR ） (Saturation) 外加的反向电压增强了内电场 ——截止 PN结呈现高阻性 (1) 势垒电容CB（Barrier) 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成 1.2.4 电容效应 表现为： 势垒电容CB（barrier) 扩散电容CD (diffusion) 图 01.10 扩散电容示意图 第三节 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的 (2) 扩散电容CD(Diffusion) +说明单个硅原子外层结构（b）图 空穴导电：价电子（实体）反向填补空穴的运动