合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响.pdfVIP

合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响.pdf

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第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 6 $$ , , , LC 56 NC 5 R=2*S $$ ( ) !$$$+$.$$.6 $ .$8(+$’ ;KP; J:Q,9K; ,9N9K; #$$ KS-) 5 JSB@ 5 ,C* 5 掺铒!#$% $%’( 薄膜中!#$% 和)*+ , 与非辐射复 合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响! )) )) ) )) )) ! # ! ! ! ! 陈长勇 陈维德 王永谦 宋淑芳 许振嘉 !)(中国科学院半导体研究所,北京 !$$$% ) )(中国科学院凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室,北京 !$$$%$ ) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) $$ ’ ( $$ ( % 4 对 薄膜中纳米硅( )、 和非辐射复合缺陷三者间的关系作了研究 在 光激发 )*+,-. ,-/ 0 12 3 )*+,- 12 5 6!’ 5 6 )7 下, 薄膜在 和 处存在较强的发光,前者与薄膜中的 有关,后者对应于 4 从第 )*+,-. ,-/ 0 12 3 86$)7 !56’ 7 )*+,- 12 ! ’ ’ 4 一激发态 到基态 的辐射跃迁 随薄膜中 含量的提高, 处的发光强度明显增强, 处的发光 9!. 9!6. 5 12 !56’ 7 86$ )7 ! 强度却降低 处理可以明显增强薄膜的发光强度,但是对不同退火温度样品,处理效果却有所不同 根据以上实 5 :

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