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物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao)
1368 Acta Phys. Chim. Sin., 2005, 21(12) ：1368 1372 December
Al P 团簇环状结构与性质的密度泛函理论研究
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1, 2 3 1 1 1 2 2
材荣 陈宏善 陈玉红 冯旺军 李维学 许广济 寇生中
1 2
( 兰州理工大学理学院; 有色金属新材料国家重点实验室, 兰州 730050;
3 西北师范大学 理与电子工程学院, 兰州 730070)
摘要 用密度泛函理论(DFT) 中的杂化密度泛函B3LYP 方法, 在6鄄31G 水平上对Al P 团簇的环状结构进行了
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几何结构优化, 并在同一水平上计算了Al P 团簇的电子结构、振动特性及极化率和超极化率. 用自然键轨道
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(NBO)方法分析了成键性质, Al P 团簇中离子键 共价键共存, 而且在不同轨道中原子间成键有不同的杂化方
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式. 计算结果表明: 优化后的Al P 团簇为双层环状结构; 价电子态密度显示其电子结构具有半导体的性质; 最强
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的IR Raman 谱峰分别位于530.65 cm-1 366. 54 cm-1 处.
关键词： Al P 团簇, 密度泛函理论, 结构与性质
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中图分类号： O561.1, O641
III鄄V 族化合 半导体奇特的光电性质和潜在 根据文献[13]报道的Ga As 团簇的纳米环状结
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的应用价值已引起物理、化学 材料等领域的广泛 构, 考虑到GaAs AlP 具有相同的价电子数和相
兴趣, 也使得III鄄V化合物团簇成为团簇领域的研究 似的成键性质, 设计了不同的Al P 团簇的纳米环状
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热点之一. 块体AlP是禁带宽度为2.42 eV 的白色闪 结构. 用密度泛函中杂化密度泛函B3LYP[14鄄15], 在双
锌矿结构半导体材料.
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