混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.4)中的N_X和N_Γ发光带的研究.pdfVIP

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2017-08-08 发布于重庆
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混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.4)中的N_X和N_Γ发光带的研究.pdf

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混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.4)中的N_X和N_Γ发光带的研究.pdf

　第 20 卷第 5 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 5　 V o l N o 　1999 年 5 月　　　　　　　　　　　　 , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ay 混晶 1- x x ∶ ( = 0. 4) 中 GaA s P N x 的NX 和 N 发光带的研究俞容文　郑健生　颜炳章 ( 厦门大学物理系　厦门　361005) 摘要　本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶 ∶ ( = 0 4) GaA s1- x Px N x 中的和发光带进行了研究. 在选择激发条件下, 实验未观察到混晶 ∶ ( N X N GaA s1- x Px N x = 0 4) 中 → 的带间能量转移现象. 从变温光致发光谱得到在温度 50 时, 和 N N X T K N N X 的激活能分别为 ( ) = 5 8 和 ( ) = 11 2 ; 在温度 50 时, 和的激 E a N m eV E a N X m eV T K N N X 活能分别为 ( ) = 67 和 ( ) = 32 . 根据实验结果, 我们提出, 和中心分 E a N m eV E a N X m eV N X N 别来自孤立N 中心和N 束缚激子分子的发光. PACC: 7135, 7155, 7855 1　引言 ( ) ( 人们对低组分 0 90 的 ∶ 混晶, 特别是间接带类和直接带类 x GaA s1- x Px N GaP ) [