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电子显微镜在半导体工艺中的应用技术研究.pdf
维普资讯
第3期 微 处 理 机 NO．3
2004年6月 M ICRoPRoCESSORS Jun．．2004
扫描电子显微镜在半导体工艺中的应用技术研究
王嵩宇，徐 宁，袁 凯，苏秀娣 ，许仲德，李 宏，林厚军
(东北微 电子研究所 ，沈阳 110032)
摘 要 针对半导体工艺的需要，本文提供了利用扫描 电子显微镜进行分析的机理及采用的
关键技术手段。
关键词 扫描电子显微镜；解理；缀饰
中图分类号：TN3 文献标识码：B 文章编号；1002--2279(2004)03--0010--02
TheAppliedTechniqueStudyofScanningElectricMicroscopeDuring
Semi—conductorProcess
WANG Song--yu，XU Ning，YUAN Kai，etal
(NortheastMicroelectronicsInstitute，Shenyang110032，China)
Abstract Aim atthedemandofthesemi—conductortechnics，thistextprovidedtheprinciplemakeuse
oftheelectronicmicroscopetoproceedtheanalysisandkeytechniqueofusing．
Keywords SEM ；Cleavage；Decoration
1 引 言 2．2 磨角
把解理后的样品固定到磨角器上进行磨角，磨
随着SEM 的广泛应用，我们实现了对超大规
角是在玻璃上进行的，用水作润滑剂。磨角时，要根
模集成电路微观结构的测试。半导体工艺中对SEM
据所测参数不同，选择不同的磨角器。如果参数尺寸
的需要主要有两大方向：一是发挥其强大的放大功
能，对 IC器件的正面结构进行实时检测。目前在世 较大，则选择大角度磨角器。
2。3 缀饰
界上先进的深亚微米加工工艺中，已用在线SEM
2．3．1 缀饰剂 的组分及机理
来检测线宽。二是利用其剖面分析功能，并与样品制
备技术有机结合，系统地分析 IC工艺及器件的剖面 不同的样品所选择的缀饰剂也不同，缀饰剂一
般以HF为主，配以HNO。，CH。COOH，H。O。在通
复合结构，为生产及研发提供其他测试分析仪器所
无法提供的直接参量，作为分析、解决问题的重要依 常情况下，Si对浓或稀的HNO。，H：SO．及HCl都是
据。 相对稳定的，对HF也不发生反应。但Si与HNO。及
HF的混合物起反应，其反应式如下；
2 方 法 HNO3+Si一— SiO2+H2O+NO2’ (1)
要将SEM剖面分析技术运用到集成电路的研 SiO。+HF一—，H2[-SiF-]+H2O (2)
制与生产中，须根据不同的器件，不同的工艺来确定 缀饰剂CH。COOH中含有一OH，对样品表面
相应的样品制备条件。下面将分析中的关键技术手 的腐蚀起缓冲和抛光的作用。样品组分的不同造成
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