稀土掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜的介电及发光性能.pdfVIP

物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao) April Acta Phys. Chim. Sin., 2008, 24(4) ：695-699 695 [Note] 稀土掺杂Ba Sr TiO 薄膜的介电及发光性能 0.6 0.4 3 岛1,2 刘 茜1,* 刘庆峰1 (1 国科学院上海硅酸盐研究所, 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室，上海 200050; 2 国科学院研究生院, 北京 100049) 摘要: 以钛酸锶钡和稀土氧化物粉末靶为靶材, 用离子束溅射法在MgO(100)和Si(100)基片上组合制备了不同 掺杂浓度的Ba0.6Sr0.4TiO3 Re(BST Re)薄膜样品阵列. 沉积得到的多层无定形薄膜经低温扩散、高温晶化, 形成 BST Re 多晶薄膜. 以扫描近场微波显微镜测定BST Re/MgO(Re=Er, Eu, Pr/Al)样品的介电常数, 研究掺杂种类 及掺杂浓度对BST 薄膜介电常数的影响. 结果表明, 稀土离子的适量掺杂使BST 薄膜介电常数有所提高, 其 , Er3+和Eu3+ 的最佳掺杂浓度分别为4.5%及5.7%(原子分数) 左右时, 介电常数值达到最高. 而共掺杂Pr3+和Al3+ 的样品则在n(AL) n(Pr)为4-8 之间介电性能最佳. 另外, 测量了BST Re/Si(Re=Er, Eu)样品的光致发光谱, 发现 Er3+和Eu3+在BST 薄膜样品中的发光猝灭浓度分别为4.20%和8.95%(原子分数). 关键词: 钛酸锶钡; 稀土掺杂; 介电; 发光; 组合材料芯片 中图分类号: O644 Dielectric and Luminescent Properties of Rare Earth Doped Ba Sr TiO Thin Films 0.6 0.4 3 YU Dao1,2 LIU Qian1,* LIU Qing鄄Feng 1 1 ( State Key Laboratory of High Perf ormance Ceramics and Supe rf ine Microstructures, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, P. R. China; 2Graduate School of the Chinese A cademy of Sciences, Beijing 100049, P. R. China) Abstract: Ba0.6Sr0.4TiO3 Re (BST Re) thin films were synthesized by ion beam sputtering deposition. MgO(