磁控溅射法制备PZT基SMA_PZT异质复合材料.pdfVIP

第38卷 增刊1 稀有金属材料与工程 V01．38，Suppl．1 2009年4月 RAItEMElALMATERIALSANDENGD厄ER【NG 2009 April 磁控溅射法制备PZT基SMA／PZT 异质复合材料 刘庆锁，吴小萍 (天津理工大学，天津300191) 摘要：采用直流磁控溅射法在PZT基体上溅射沉积NiTiSMA薄膜，而制各出PzT基NiTiSMA／PZT异质复合材料。 研究了溅射工艺参数与晶化温度对NiTi SMA薄膜相组成及SMA／PZT异质复合材料膜／基间结合状态的影响规律。结果 表明，为保障NiTi SMA薄膜的晶体颗粒均匀、结构致密，膜／基间成分交换范围小及结合紧密，制备NiTiSMA／PZT异 质复合材料的适宜工艺为：于基体温度150℃、氩气压强O．7 Pa条件下溅射沉积NiTiSMA薄膜，再经600℃二次晶 化处理。显微观察发现，NiTiSMA薄膜与PZT基体之间以化学方式，而非物理方式结合． 关键词：磁控溅射法；晶化处理；显微结构：NiTiSMA／PZT异质复合材料 中图法分类号：TB333 文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2009)S1-428．04 采用JPG500D型超高真空多功能磁控溅射仪，在 锆钛酸铅Pb(ZrTi)03(简记PZT)压电陶瓷材料 具有良好的正、逆压电效应，作为传感器、驱动器具 PZT基体上溅射沉积NiTiSMA薄膜。靶材为有研亿 有高灵敏度、低电噪声等优势，因而被广泛应用在驱 动器、传感器领域【l】。但是，由于PZT是脆性材料， 状记忆合金，其Ni和Ti的原子比为l：l。基体为通过 变形量很小，限制了它的应用范围。很多学者尝试通 烧结获得的厚度为1 min。 过掺杂非铁电相以改善PZT的力学性能。Takahashi基体用乙醇在超声洗涤槽中超声震荡洗涤30 等人【2】通过引入单斜相ZrO纤维来改善PZT陶瓷的断 为了比较分析不同溅射工艺参数对NiTiSMA薄 膜性能及NiTiSMA薄膜与PZT基体之间界面结合状 裂韧性。Hwang等人【3】在PZT陶瓷中引入金属Ag以 增韧PZT陶瓷。但非铁电相的引入不可避免地会损害 态的影响，溅射时间控制在lh，沉积的NiTiSMA薄 PZT陶瓷的压电性能。近年来，通过与NiTi形状记膜厚度大约为8～ll ttm。 SMA)相结合而制备NiTi 忆合金(NiTi SMA／PZT复 将溅射沉积了NiTiSMA薄膜的试样放置于 合材料的研究工作受到重视。作者曾报道【4】，采用溶 DRZ．6型管式炉中，在氩气保护下进行晶化处理，最 胶一凝胶法在NiTiSMA基体上沉积PZT薄膜而制备终获得PZT基PZT／NiTiSMA薄膜试样，简称复合材 出NiTiSMA基PZT／NiTiSMA复合材料。程晋荣等 料试样。 尝试【51，先在Si基体溅射NiTiSMA薄膜，然后再溅 采用Rigaku 射PZT薄膜，而制成多层薄膜复合材料。这些工作的 薄膜的物相组成，试验条件：CuKa，电流150mA， 特点是在NiTiSMA基体上沉积PZT，而制备出形状电压40kV。 记忆合金基复合材料，NiTiSMA为基体，而不能充分 发挥PZT在传感、驱动方面的优