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红外探测器微结构的HREM观察.pdf
第 20 卷第 9 期 半 导 体 学 报 . 20, . 9
V o l N o
1999 年 9 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S Sep. , 1999
红外探测器微结构的 HREM 观察
刘 峥 邵贝羚 刘安生 王 敬
(北京有色金属研究总院 分析测试技术研究所 北京 100088)
王瑞忠 钱佩信
(清华大学 微电子学研究所 北京 100084)
摘要 采用定位横断面制样的高分辨电子显微技术 ( ) 观察了 + 异质
HR EM P Si Ge P Si
0. 65 0. 35
结内光发射红外探测器的微结构. 该器件光敏区是由 3 层 P + Si Ge 和 2 层UD Si(未掺杂
0. 65 0. 35
)
硅 组成, 层间界面不明锐, 有一个由于 原子不均匀扩散造成的过渡带. 这
Si Ge UD Si Ge
0. 65 0. 35
个过渡带缓和了界面的失配应力, 因而未观察到界面晶体缺陷和严重的晶格畸变. 在光敏区边
( )
缘有呈倒三角形的缺陷区, 缺陷的主要类型为层错和微孪晶. 层错在 1 11 面上, 而微孪晶的厚
( )
度约为 2～ 4 晶面间距, 其孪晶面为 1 11 . 非晶 SiO 台阶上的 Si Ge 和UD Si 层由随机形
2 0. 65 0. 35
核生长的多晶组成, 层面呈波浪状.
: 7230 ; : 6865, 6116
EEACC C PACC D
1 引言
红外探测器及红外焦平面阵列在制导、夜视、遥感、遥测、预警、深空监视、以及医学诊断
等领域具有广泛和重要的应用价值. 目前, 已实用化的红外探测器主要有: 工作于 3～ 5m
大气窗的 InSb 和 P tSi 探测器, 以及工作于 8～ 14m 大气窗的H gCdT e 探测器. 它们虽然
都可在 77K 液氮温度下工作, 但它们各有优缺点
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