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IC设计介绍 2006-8-22 1 内容 • 集成电路基本概念 • 集成电路的发展现状与趋势 • 集成电路设计面临的挑战 • 集成电路的设计 2 2006-8-22 集成电路的基本概念（1） • 形状:一般为正方形和矩形； • 面积:几平方毫米到几百平方毫米； • 集成度，规模：包含的晶体管数目或等效的逻辑门（2输 入的NAND=4个晶体管）的数量； • 特征尺寸： – 集成电路器件中最细线条的宽度，对MOS管器件常指栅极所决定 的沟道几何长度，是一条工艺线中所能加工的最小尺寸； – 反映了集成电路版图图形的精细程度，特征尺寸的减小主要取决 于光刻技术的改进（光刻最小尺寸与曝光所用的波长）； 3 2006-8-22 集成电路的基本概念（2 ） • 硅圆片直径：考虑集成电路的流片成品率和生产成本，每 个硅圆片上的管芯数保持在300个左右； • 封装： – 把IC管芯放入管壳内并加以密封，使管芯能长期可靠地工作； – 为了适应高密度按装的要求，从插孔（THP ）形式向表面安装形 式（SMP ）发展，目前最多端口已超过1000个； – 目前主要的芯片封装形式有： • BGA • CPS （Chip Size Package) • COB (Chip on Board) • Flip Chip • MCM （Multi Chip Module) 4 2006-8-22 集成电路的基本概念（3 ） • 制造工艺 – 双极型Bipolar工艺：最早采用的工艺，多数使用TTL （Transistor-Transistor Logic)或ECL( Emitter - Coupled Logic)，耐压高，速度快，通常用于功率电子，汽车，电话 电路与模拟电路； – CMOS工艺：Complememtary MOS,铝栅晶体管被多晶硅 栅所代替，更易于实现n沟道MOS和p沟道MOS两种类型的 晶体管，即同一硅片上实现互补MOS工艺。生产工艺简 单，器件面积更小。晶体管密度大，功耗小。 – BiCMOS工艺：双极型Bipolar和CMOS两种工艺的结合。 管芯中大部分采用CMOS，外围接口采用双极型Bipolar， 做到功耗低、密度大，电路输出驱动电流大。 5 2006-8-22 集成电路的基本概念（4 ） • MPW （Multi Purpose Wafer） – 多目标晶圆服务 – 减小投入，0.6um 2500元/mm2,但受工艺和时间限制。 6 2006-8-22 集成电路的基本概念（5） • 集成电路的分类 – 按功能分类： • 通用集成电路(如74系列、Memory芯片） • 专用集成电路ASIC （如工作站中存储器与微处理器的接口芯 片） • 专用标准电路ASSP （如MPEG编解码芯片） – 按设计制造方法分类： • 全定制（Full Custom)：硅片没有经过加