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第 六 章 晶 体 二 极 管 知 识 全 解 内容提要 普通二极管工作原理、主要参数 二极管选配 二极管主要特性 二极管基本电路 稳压二极管及应用 发光二极管及应用 开关二极管及应用 6.1 普通二极管基础知识 １、种类及外形特征： ２、二极管电路符号： ３、二极管工作原理： ４、二极管主要参数： ５、二极管极性识别： 二极管共有两种工作状态：截止和导通。 导通的条件有两个 (1)正向偏置电压。 (2)正向偏置电压大到一定程度．对于硅二极管而言为0.6v，对于锗二极管而言为0.2V 截止状态: 给二极管加上反向偏置电压，两根引脚之间的电阻很大，相当于开路。反向电压太大，二极管会击穿，电流将从负极流向正极，说明二极管已经损坏。 极性识别 6.2 故障处理方法 1、故障种类及特征： 开路：正负极断开，正、反向电阻相同； 击穿：正、负极间形成通路，正反向电阻接近， 正向电阻变大：单向导电性变劣，信号在二极管上的压降变大，二极管因发热而损坏。 性能变劣：工作稳定性变差或其它。 2、二极管脱开线路检测 方法：使用RX1K档测正、反向电阻。 结果：正向电阻 几kΩ：正常 为0或远小于几kΩ：二极管已击穿。 几百kΩ：正向电阻大，二极管已开路。 几十kΩ：正向电阻大，正向特性不好。 测量时表针不稳定：稳定性差。 反向电阻： 数百kΩ ：正常 为0：已击穿 远小于几百kΩ：反向特性不好。 表针不动：已开路 表针不稳定：稳定性差。 3、通电在路测量 方法：1V档测正向压降 结果分析： 硅管： 0.7V：正常 远大于0.7V：二极管未导通，或二极管有故障： 接近0V：二极管击穿或引脚短路。 锗管： 0.3V：正常 远大于0.3V：二极管未导通，或二极管有故障： 接近0V：二极管击穿或引脚短路。 4、检测注意事项： 硅二极管的正反向电阻大于锗二极管 同一型号二极管用不同的量程测量，阻值不同，用不同万用表同一量程测量时也不同。 测正向电阻时，若表针不能迅速停在某一阻值上，说明其热稳定性不好。 数字万用表有专用的PN结测量档。 5、二极管选配 对于进口二极管先查晶体管手册，选用国产二极管来代用．也可以根据二极管在电路中的具体作用，以及主要参数要求，选用性能参数相近的二极管代用。 不同用途之间的二极管不宜代用，硅二极管和锗二极管之间不能代用。 对于整流二极管主要考虑最大整流电流和最高反向工作电压两个参数，当代用的二极管接入电路再度损坏时，考虑是否是代用的二极管型号不对，还要考虑二极管所在的电路是否还存在其他故障。 当代用二极管接入电路后，工作性能不好．需要考虑所代闹的二极管是否能满足电路的使用要求，同时也应该考虑电路中是否还有其他元器件存在故障。 6.3 主要特性 单向导电性：正偏导通，反偏截止。 伏安特性： 正向特性：加正向电压且小于一定值时，正向电流很小，大到一定程度后，正向电流则迅速增大，并且正向电压稍许增大一点，正向电流就增大许多，使二极管正向电流开始迅速增大的正向电压，称之为起始电压，硅为0.6，锗为0.2。 反向特性，加反向电压小于一定值时，反向电流始终很小：当所加的反向电压大到一定值时，反向电流迅速增大．二极管处于电击穿状态，使反向电流开始迅速增大的反向电压称为反向击穿电压UZ。 电击穿: 不是永久性的击穿，将加在二极管上的反向电压去掉后，它仍然能够恢复正常特性，二极管不会损坏，只是存在损伤。 热击穿: 是永久性的击穿．当二极管校长时间处于电击穿状态时，由于流过二极管的反向电流很大，管内的PN结因为发热而导致损坏．此时去掉反向电压后二极管也不会恢复正常特性． 正向压降基本不变： 当温度升高时，其管压降会略有下降：温度降低时，其管压降会略有增大 正向电流发生很大变化时，正向压降会有微小的增大变化。换句话讲，当正向电压有一个微小变化时，将引起正向电流的很大变化。 正向电阻变化特性：正向电阻大小与电流大小有关，正向电流越大，电阻越小。 开关特性： 正向导通，内阻很小，相当于开关接通：二极管截止时，它两根引脚之间的电阻很大，相当于开关的断开。开关二极管与机械式开关相比，二极管导通时的内阻没有为零，二极管截止时的电阻没有为开路。二极管开关速度优于机械开关。 6.4 基本电路： 1、整流电路（整流：交流变直流） 半波整流： 全波整流： 桥式整流： 倍压整流： 全波整流 桥式整流 倍压整流 2、限幅电路 3、简易稳压电路： 4、检波电路：调幅信号还原为原始信号 5、继电器驱动电路中的保护电路 6、二极管变光开关电路 二极管基极补偿电路 当温度升高时，β值增大，ICBO增大，UBE减小，IBQ增大，ICQ增大 由于IIBQ，因此忽略IBQ的分流作用，得到 6.5 稳压二极管 1、具有温度补偿特