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1.1.1典型PN结隔离工艺流程 1.2.1 N阱硅栅CMOS工艺主要流程 （ 参考P阱硅栅CMOS工艺流程） 1.2.7 LDD注入 1.2.8 接触孔掺杂 1.2.9 其它MOS工艺简介 * * * §1.2 N阱硅栅CMOS集成电路制造工艺 * 思考题 1.需要几块光刻掩膜版？各自的作用是什么？ 2.什么是局部氧化（LOCOS ) ？  （Local Oxidation of Silicon) 3.什么是硅栅自对准(Self Aligned )？ 4. N阱的作用是什么？ 5. NMOS和PMOS的源漏如何形成的？ * * 场区光刻 衬底准备 生长SiO2和Si3N4 N阱光刻、注入、推进 生长SiO2和Si3N4 N管场区光刻、注入 阈值电压调整区光刻、注入 清洁有源区表面、长栅氧 场区氧化(局部氧化) 多晶淀积、参杂、光刻 N管LDD光刻、注入 P+有源区光刻、注入 P管LDD光刻、注入 N+有源区光刻、注入 BPSG淀积 接触孔光刻 N+接触孔光刻、注入 淀积金属1、反刻 淀积绝缘介质 通孔孔光刻 淀积金属2、反刻 淀积钝化层、光刻 侧墙氧化物淀积、侧墙腐蚀 * 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程1.衬底准备 P+/P外延片 P型单晶片 * P-