用于超宽带探地雷达的新型功率纳秒级开关.pdfVIP

第 3 1卷 　第 12 期 现 代 雷 达 Vol. 3 1　No. 12 　2009年 12 月 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　 　 Modern R adar 　 D ec. 2009 ·收 /发技术 · 中图分类号 : TN 958 文献标识码 : A 文章编号 : 1004 - 7859 (2009) 12 - 0077 - 05 用于超宽带探地雷达的新型功率纳秒级开关 张 　玲 1, 2 ,周 　斌 1, 2 ,方广有1 ( 1. 中国科学院电子学研究所 , 　北京 100 190; 　2. 中国科学院研究生院 , 　北京 100 190) 摘要 :将高速断路开关与电感储能元件结合应用于功率脉冲产生系统中非常有前景 ,短时间内负载上产生的脉冲电压是 储能元件电压的好几倍 。在 20世纪末期 ,发现了一种当电流从正向转至反向时 ,硅半导体 PN 结中出现高电压快速恢复 现象 , 由此产生了一种新型固态等离子体断路开关漂移阶跃恢复二极管 。这种开关具有长寿命 、低抖动 、高重频等优点 。 详细地分析了这种开关快恢复的物理特性 ,设计了基于此开关的发射机 ,可应用于探地雷达系统中。 关键词 :快恢复 ;超宽带 ;探地雷达 Novel Power Nanosecond Sw itches for UW B Ground Penetra ting Radar 1, 2 1, 2 1 ZHAN G L ing , ZHOU B in , FAN G Guangyou ( 1. In stitu te of E lectron ic s, Ch ine se A cadem y of Science s, 　B eij ing 100 190 , Ch ina) (2. Graduate U n iversity, Ch ine se A cadem y of Science s, 　B eij ing 100 190 , Ch ina) A b stract:H igh sp eed op en ing sw itche s (O S) w ith inductive storage system are very p rom ising in p u lsed power app lication s. The pu lsed voltage generated during a short tim e at the load m ay be m any tim e s h igher than the voltage at wh ich the energy ha s been stored. In the late 20 th century a new effect of sup er fa st vo ltage re storation in h igh voltage silicon PN junction s, when the junction curren t is sw itched from forward to reverse direction, was discovered. The discovery gav