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电感耦合等离子体发射光谱法测定锰硅合金中硼含量_徐金龙.pdf
20141241
524000
4.51%
O657.31
Determination of Boron in the Manganese Silicon Alloy by Method of ICP-OES
Xu Jinlong, Hua Bin, Yang Shujie, Shi Yaxiao, Li Zhanjiang
(Zhanjiang Entry-Exit Inspection and Quarantine Bureau, Zhanjiang, Guangdong, 524000)
Abstract: Detection method of boron content in manganese silicon alloy by ICP-OES was set up. After a comparative
analysis of experimentation, it was worked out that the sample was pretreated with nitric acid-hydrofluoric acid
decomposition, and that mannitol served as a complexing protector. The boron content was determined using ICP-OES
in spiked samples. The relative standard deviation was 4.51% and the result was satisfactory.
Key Words: Silicon Manganese Alloy; Boron; ICP-OES
1 62003-90.0501
0.02% AR
Milli-Q
2 .1.2
730
VARIAN
2 .2
[1] 2 .2 .1
ICP-OES 1 5.00mL
[2] [3]
ICP-OES 100mL
[4]
ICP-OES 50μg/mL 2 10.00mL
1100mL
5μg/mL
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