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EMC系列讲座之一 结构及线材设计 EMC简介 EMC设计 结构与硬件 EMC简介 EMC简介 EMC简介 辐射发射（RE） 辐射抗扰（RS） 传导发射（CE） 传导抗扰（CS） 静电放电（ESD） 电快速脉冲群（EFT） 浪涌（SURGE） 工频磁场 电压跌落、中断和电压变化 电压波动和闪烁 谐波电流 辐射发射 静电放电 静电放电 浪涌 电快速脉冲群 结构及线材设计 EMC简介 EMC设计 结构与硬件 EMC设计 接地 屏蔽 接地 理想电大地：具有零电位的土壤 “地”概念的引申：飞机壳体、轮船壳体、等电势体 电气接地：提供低阻回路、安全、EMC 超声系统接地 CS01、2300系列、2105系列： 主机箱、主机架接地 2108： 主机未接地，主机外壳相当于一个等电势体，系统内主板及其它板卡与其良好连接，实际上也是一个接地的概念。 EMC设计 接地 屏蔽 屏蔽 波阻抗 屏蔽效能 屏蔽机理 非实心屏蔽体 电磁屏蔽材料 屏蔽结构设计 波阻抗 屏蔽 波阻抗 屏蔽效能 屏蔽机理 非实心屏蔽体 电磁屏蔽材料 屏蔽结构设计 屏蔽效能 屏蔽 波阻抗 屏蔽效能 屏蔽机理 非实心屏蔽体 电磁屏蔽材料 屏蔽结构设计 屏蔽机理 主要机理： 吸收损耗 反射损耗 屏蔽机理 吸收损耗 吸收损耗 吸收损耗 吸收损耗：随电磁波频率、屏蔽体厚度、屏蔽体的导磁率及导电率的增大而增大，通过屏蔽体产生热损耗。 趋肤效应：低频时金属的趋肤深度大，电磁场可穿透导体，从而降低屏蔽效能；高频时金属的趋肤深度小，屏蔽效能好。 对于吸收损耗，当f 1MHz时，用0.5mm厚的任何金属板制成的屏蔽体，都能将场强衰减到100倍（40dB）以下。 在选择材料时，应着重考虑材料的机械强度、刚度和防腐等因素。 对于低频屏蔽，应采用磁导率大的铁磁场性材料，如冷轧钢板、坡莫合金等。 反射损耗 由屏蔽体表现处阻抗不连续引起。 与材料自身特性（电导率、磁导率）有关。 与干扰源的类型有关（近场电场干扰源、近场磁场干扰源或远场平面波）。 与干扰源与屏蔽体之间的距离有关。 与干扰频率有关。 相当复杂。 多次反射损耗 屏蔽体较厚时，导体的吸收损耗比较大，此时可以忽略多次反射的影响。 屏蔽 波阻抗 屏蔽效能 屏蔽机理 非实心屏蔽体 电磁屏蔽材料 屏蔽结构设计 非实心屏蔽体 上述无孔洞的理想屏蔽体是不存在的。 电缆进出、通风散热……，总是要在机箱上打孔。 构成箱体时总存在金属面间的接缝。 电磁能量会通过这些孔或缝泄漏出去，造成屏蔽效能的降低。 屏蔽体的屏蔽效能是由各个泄漏因素中最薄弱的环节所决定的。 非实心屏蔽体 非实心屏蔽体 带孔金属板的屏蔽效能： SE＝A+R+B+K1+K2+K3 A－孔的吸收损耗 R－孔的反射损耗 B－多次反射损耗 K1－孔数目修正系数 K2－低频穿透修正系数 K3－孔间耦合修正系数 孔的吸收损耗A 在入射波频率低于波导截至频率时，电磁波通过孔时所产生的损耗为： 矩形孔 A=27.3L/W（dB） 圆形孔 A=32L/D（dB） L－金属板厚度 W－矩形孔的最大宽度 D－圆形孔的直径 金属屏蔽板越厚，孔的吸收损耗越大。 金属屏蔽板上的开孔尺寸越小，孔的吸收损耗越大。 孔的反射损耗R 对于平面入射波： 矩形孔的反射损耗 R≈20log |λ/8W| W λ 圆形孔的反射损耗 R≈20log |λ/6.82D| D λ 对于平面入射波，孔的尺寸越小，反射损耗越大。 孔数目修正系数K1 当干扰源到屏蔽体的距离比孔间距大得多时，孔数目修正系数K1为： K1＝－20log√an a－单个孔的面积 n－单位面积上的孔数 单个孔的面积越小，K1越大。 单位面积上的孔数越少，K1越大。 多次反射损耗B 当孔的吸收损耗A较大时，多次反射损耗B可以忽略。 低频穿透修正系数K2 低频时金属的趋肤深度大，电磁场可透过导体，从而降低屏蔽效能。 对EMC辐射发射（RE）所关心的频率，30MHz~100MHz，K2可以忽略不计。 空间耦合修正系数K3 当屏蔽体上孔距很近时，由于相邻孔之间的耦合作用，屏蔽体的屏蔽效能将有所增加，增加量用K3表示。 影响较小。 缝隙的屏蔽效能 缝隙的屏蔽效能 屏蔽 波阻抗 屏蔽效能 屏蔽机理 非实心屏蔽体 电磁屏蔽材料 屏蔽结构设计 电磁屏蔽材料 屏蔽用金属材料 缝隙屏蔽材料 薄膜屏蔽材料 通风孔屏蔽材料 观察窗屏蔽材料 屏