Pt阻变单元特性与机理的研究.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 14 (2014) 147301 Ni/HfO /Pt 阻变单元特性与机理的研究 庞华 邓宁 (清华大学微电子学研究所, 北京 100084) ( 2014 年2 月20 日收到; 2014 年4 月3 日收到修改稿) 研究了Ni/HfO (10 nm)/Pt 存储单元的阻变特性和机理. 该器件具有forming-free 的性质, 还表现出与 以往HfO (3 nm) 基器件不同的复杂的非极性阻变特性, 并且具有较大的存储窗口值( ). 存储单元的低 阻态阻值不随单元面积改变, 符合导电细丝阻变机理的特征. 采用X 射线光电子能谱仪分析器件处于低阻态 时的阻变层HfO 薄膜的化学组分以及元素的化学态, 结果表明, Ni/HfO /Pt 阻变存储器件处于低阻态时的 导电细丝是由金属Ni 导电细丝和氧空位导电细丝共同形成的. 关键词: 阻变存储, 二氧化铪薄膜, 导电细丝 PACS: 73.40.Rw, 72.80.Ga, 71.30.+h DOI: 10.7498/aps.63.147301 变特性, 这种结构的器件中, TiN 电极作为储氧层; 1 引 言 而采用Cu, Ag, Ni 等易氧化的金属作为电极时, 则 表现为单极性的阻变特性. 文献报道的Ni/HfO 阻变存储器(resistive random access memory, (3 nm)/p-Si 结构存储单元表现出单极性阻变特 RRAM)12 因其具有优异的特性, 并且能够与互 性, 并且研究者认为此结构器件的阻变过程为Ni 补金属氧化物半导体(CMOS) 工艺相兼容, 备受研 组成的导电细丝的形成与断裂1621 . 上述文献只 究者的关注, 被认为是通用存储技术的重要候选 是分析了特定的HfO 基存储单元的阻变机理. 事 者. 具有阻变效应的材料种类很多, 可以分为固 实上, 用Ni 作电极的HfO 基存储单元阻变特性十 体电解质材料34 56 、钙钛矿氧化物 、过渡金属二 分复杂, 阻变机理也并非上述文献所述的Ni 导电 元氧化物710 和有机材料等1112 几类. 不同的 细丝那么简单. 阻变材料对应于不同的阻变机理. 在众多的阻变 为了进一步明确HfO 基存储单元复杂的阻 材料中, 由于过渡金属二元氧化物具有组分结构 变特性背后的机理, 本文研究了具有厚阻变层的 简单、制备成本低, 尤其是与CMOS 工艺兼容性好 Ni/HfO (10 nm)/Pt 结构存储单元的阻变特性, 并 而成为研究的重点. 已报道了许多具有阻变效应 通过X-射线光电子能谱仪(XPS)对阻变层中的化 的过渡金属二元氧化物及其阻变机理, 如WO , 学组分和元素化学态进行了系统的分析. 研究发 AlO , ZrO , CuO , TaO , TiO , HfO , VO 现, 阻变层在低阻态时内部存在由Ni 导电细丝和 等891319 . 在这些阻变材料中, Hf