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掺氮直拉单晶硅中氧沉淀的研究进展张泰生.pdf
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张泰生, 马向阳, 杨德仁
( , 310027)
掺氮直拉硅单晶近年来引起了硅材料产业界和学术界的 泛关注氧沉淀是直拉硅单晶缺陷工程的重
要研究课题对掺氮直拉硅单晶氧沉淀研究的最新进展进行了综述, 主要阐述了氮是如何影响直拉单晶硅中原生氧
沉淀后续热工艺中氧沉淀行为以及氧沉淀的形貌
The Advance of Research on Oxygen Precipitates in NCZ Silicon
ZH A N G T aish eng, M A X iangyang, YA N G Deren
( State K ey L ab o f Silicon M aterial, Zhe iang U niv ersity , H angzhou 3 10027)
Abstract I n r ecent year s, nitr og endoped czochralski silicon ( N CZ) has attr acted intensiv e at tention f rom the
indu strial cir cle and academia. O xy gen precipitatio n is an im po rtant sub ect of def ect engineer ing for CZ silicon . T his
paper o verv iew s t he latest achiev ements in the research of o xy gen pr ecipitatio n in NCZ silicon . T he eff ects of nitr og en
on the fo rmation of g ro w nin ox yg en pr ecipitates, ox yg en precipit at es fo rmed in the subsequent therma l cycles and the
mor pholog y of o x yg en precipitates in NCZ silico n are elucidated in detail, t hu s the advantag es of NCZ silicon ar e re
v ealed .
Key words N CZ, ox yg en precipitat ion , r esear ch pro gr ess
[ 10]
1420 ,
0
,
, ,
,
,
, [ 9]
NCZ ,
, NCZ CZ 1270 1h
, ; ; N CZ CZ
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