横截面积参数对钛氧化物忆阻器导电特性的影响.pdfVIP

物 理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．4(2014) 048401 横截面积参数对钛氧化物忆阻器导电特性的影响冰 田晓波十 徐晖 李清江 (国防科学与技术大学电子科学与工程学院，长沙 410073) (2013年9月11日收到；2013年10月23日收到修改稿) 纳米钛氧化物忆阻器的导电过程因自身参数的改变及不同机理的共存而呈现复杂特性，但现有研究缺乏 针对横截面积参数的改变对忆阻器导电特性影响的讨论．基于杂质漂移及隧道势垒机理，本文分析了忆阻器 导电过程，研究了横截面积参数与导电过程中各关键物理要素间的关联，并基于此，分别研究了钛氧化物横截 面积及隧道势垒横截面积的改变对忆阻器导电特性的影响，分析了两者的区别与联系．验证了两种机理共存 情况下，相对于钛氧化物横截面积的改变，隧道势垒横截面积的改变是引发忆阻器导电特性变化的主要因素， 且是导致忆阻器非理想导电特性的可能因素．研究成果有助于进一步解释忆阻器导电过程的复杂性，并为优 化忆阻器模型的构建提供依据． 关键词：忆阻器，横截面积，杂质漂移，隧道势垒 PACS：84．32．一yj89．20．Ff，84．37．+q，85．35．一P DOI：10．7498／aps．63．048401 究领域，不同导电机理的共存是解释忆阻器复杂导 1 引 言 电特性的可能原因之一[13]．基于文献f141的实验 结论，Strukov等利用杂质漂移机理 (DDM)描述了 随着纳米技术的诞生与发展，具有更小物理尺 忆阻器导 电过程中掺杂层与非掺杂层瞬态阻抗的 寸、更低功耗及成本、更快运行速度与更高性能的 变化过程及电荷记忆性原理．Pickett等 [15]发现忆 新型电路元件成为今后电路领域的发展趋势 [1]|钛 阻器中钛氧化物与金属铂 电极接触面的非对称性， 氧化物忆阻器 [2]诞生于美国惠普实验室，该器件是 据此通过隧道势垒机理 (TBM)描述了忆阻器的导 一 种典型的纳米 电路元件，是第四种基本电路元件 电过程，即利用隧道势垒及导电通道的串联电路对 一 忆阻器 0【】的一种具体实现形式．忆阻器在阻性 忆阻器建模，并采用矩形势垒的Simmons伏安特 随机访 问存储技术 【】、人工神经网络 【】、可编程逻 性定量描述了忆阻器的静态传输与动态开关过程． 辑电路 。【]、混沌电路 [_。]等领域的潜在应用价值已 Yang等 [16]给出了钛氧化物在 电成型过程中氧空 得到证实．当前，围绕电路特性、建模及应用等领域 缺、氧气及 电极物理形变的形成过程．田晓波等 [17] 的研究成为忆阻器分析研究的热点问题．最近，李 通过一种DDM与TBM共存的导电机理模型验证 智炜等 [10]对逾渗网格模型进行了简化，研究了不 同初态对单极性忆阻开关元件中逾渗导 电通道形 了DDM与TBM在同一个忆阻器中共存的可能性． 成的影响．宋德华等 [11]对有边界的忆阻元件与 电 Prodromakis等 [18]的研究表 明，横截面积为 容、电感的串、并联电路分别进行了研究，分析了电 平方纳米或平方