引进部分灭磁装置质量隐患问题.pptVIP

对引进部分灭磁装置质量隐患问题查处探讨 陈福山1潘传理2 1.中水东北勘测设计研究公司, 吉林省长春市,130021 2.安徽通辰电气有限公司, 安徽省合肥市,230088 内部资料,请勿外泄! 2012年10月23日 * 二、对部分引进磁场断路器结构和断流弧压存在质量隐患查处探讨 2、二滩磁场断路器和SiC灭磁电阻的缺陷隐患 三、SiC灭磁电阻存在的缺陷隐患查处探讨 3、瑞士S?cheron HPB型直流断路器的缺陷隐患 1、法国AMF-CC-NOR-2000A型常闭触头间距太小 提纲 2、引进SiC存在混入个別质量差片子的原因 3、对SiC质量隐患查处措施的建议 1、对SiC质量隐患4次试验和4次亊故调查 一、引言(我国标准与外国标准有相同处和不同处) 四、参考文献 一、引言(我国标准与外国标准不同)1/4 (1) 2007年10月26日国家电网公司发电厂重大反事故措施(试行 )[1]（以下简称“反措”） 发布执行, 其中规定:“安全第一、预防为主、综合治理” 工作方针。在“反措”第15条防止励磁系统事故 中第15.4.10.2 款规定：“励磁系统的灭磁能力应达到国家标准要求， 且灭磁装置应具备独立于调节器的灭磁能力。灭磁开关的弧压应满足误强励灭磁的要求。” 2011年11月1日国家能源局发布实施 DL/T 294.1-2011 磁场断路器[2]规定: ·“磁场断路器最大弧压应大于灭磁电阻两瑞最大电压与晶闸管整 流桥输出最大电压之和 。即 Ukmax 〉Ummax +Uzmax” DL/T 294.2-2011 非线性电阻[3]规定: ·“对标称能容量的检验要求任选样品10片，在型式试验和出厂试 验都要做。” ·“对非线性灭磁电阻组件灭磁能容量检验要求在出厂试验中做。” ·“氧化锌非线性电阻串并联后均能系数不得小于90%。碳化硅非 线性电阻串并联后均能系数不得小于80%。” 内部资料,请勿外泄! 一、引言(我国标准与外国标准不同)2/4 内部资料,请勿外泄! “最严重灭磁工况下，需要非线性电阻承受耗能容量应不超过其标 称能容量的80%，同时，当装置内20%的组件退出运行吋，应满足最严重灭磁工况下的要求，并允许连续2次灭磁。在以上工况下，灭磁电阻的最大温升不大于120K。” “氧化锌非线性电阻串并联后均能系数不得小于90%。碳化硅非线 性电阻串并联后均能系数不得小于80%。” (2)ANSI/IEEE C37-18 ANSI/IEEE C37.18-1979(R2003)《用于旋转 电机的封闭式磁场放电放电断路器》是国际公认的磁场断路器标准。 其中规定: “磁场断路器最大弧压应大于灭磁电阻两端最大电压 与晶闸管整流桥输出最大电压之和 ”国内外标准基本一致;不同处 是:对最严重事故灭磁条件不同;C37-18规定是“发电机定子机端三 相突然短路灭磁”;我囸标准规定是“发电机误強励灭磁” 。 在“C37-18 -应用指南”节中对灭磁电阻线性电阻值和磁场断路器的 选择采用5个公式,很全面,详见[4] 。 一、引言(我国标准与外国标准不同)3/4 内部资料,请勿外泄! (3) 英国MI公司对SiC片生产组件选片和工程设计、运控标准:[6] “对每个选用的SiC片子加注250A电流，测量阀片电压U250A，保证 选用 并联每片SiC上述电压值U250A尽量相同，相差不超过5%。” “以元件的温升作为确定元件容量的标准。如果重复进行灭磁，组件允许的最大温升为80K；非重复灭磁状态组件温升可允许 到110K。 建议元件最大工作温升不超过130℃;元件的最大温度极限不应超过160℃（组件如到160℃，就应作绝缘5000V的耐压检验)。 SiC破坏温度为250℃。SiC片边缘击穿电压为250V/mm。为了提高运行安全可靠性,在选择灭磁电阻容量时,建议元件最大工作温不超过130℃。”(我囯标准为120℃) 内部资料,请勿外泄! (4) ABB 2005年2月 签署提供1993年2月对600A/US16/P/Spec.6298型SiC组件所作的型式试验报告[6] 见下述笔者所作 表1 .ABB600A/US16/P型SiC组件型式试验数据统计表 试验序号 直流电流 组件电压 通流时间 注入能量 试前温度 试后温度 试验温升 (1) 十次 循环 1#片外侧温度 直流 (录波图) 直流脉动 (录波图) 690V 每次加流0.5s冷却30min 十次循环 每次加流时录波 环境温度23oC 注入能量每次770kJ SiC测点最大温升107 K145K 报告结论是： 在给定负载条件 下