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《半导体光电》2006 年 8 月第 27 卷第 4 期 刘志强 等 : 　In P/ Si 键合界面热应力分析 材料 、结构及工艺 In P/ Si 键合界面热应力分析 刘志强 , 王良臣 , 于丽娟 , 郭金霞 , 伊晓燕 , 马 　龙 , 王立彬 , 陈　宇 ( 中国科学院半导体研究所 集成技术中心, 北京 100083) 摘 　要 : 　从理论上分析了键合热应力产生的原因 ,在此基础上 ,采用双层条状金属热应力模 型讨论 In P/ Si 键合过程中应力的大小及分布情况 。结果表明 , 由剪切应力和晶片弯矩决定的界 面正应力是晶片中心区域大面积键合失败的主要原因 , 同时 In P/ Si 键合合适的退火温度应该在 250～300 ℃。最后在 300 ℃退火条件下很好地实现了 In P/ Si 键合 ,界面几乎没有气泡 ,有效键合 面积超过 90 % 。 关键词 : 　In P/ Si ; 键合 ; 热应力 ; 退火温度 中图分类号 : TN 305 　文献标识码 : A 　文章编号 : 100 1 - 5868 (2006) 04 - 0429 - 05 Theoretical Analysis on Thermal Stresse in Interface of In P/ Si Bonded Waf ers L IU Zhiqiang , WAN G Liangchen , YU Lij uan , GU O J inxia , YI Xiaoyan , MA Lo ng , WAN G Libin , C H EN Yu ( Institute of Semiconductors , Chinese Academy of Sciences , Beij ing 10083 , CHN) Abstract : 　By u sing bimet al st rip st re sse mo del ,int erf acial t her mal st re sse di st ribution an d value in In P/ Si waf er bonding are t heoretically inve stigat ed . The re sult s show t hat int erf acial nor mal st re sse s p lay an imp rot ant role in bo ndin g defeat at waf er cent er area , and t he p rop er annealing t emp erat ure for In P/ Si bondin g i s bet ween 230 ～ 300 ℃. Finally , In P waf er i s succe ssf ully bonded to Si sub st rat e under 300 ℃annealing t emp erat ure . No voids are ob served f ro m t he inf rared image ,t he virt ual bonding area i s above 90 %. Key words : 　In P/ Si ; bonding ; t her mal st re ss ; annealing t emp erat ure 1 　引言 与 Si 材料的结合的另一种有效方法是 20 世纪 90 年代后发展起来的 Ⅲ Ⅴ族材料键合技术 。键合技 与 In P 相比, Si 材料具有较大的导热系数