一种新型的高性能带隙基准电压源.pdfVIP

( ) 第 6 卷第 2 期 江 南 大 学 学 报 自 然 科 学 版 Vol . 6 　No . 2 　 　 　　 2007 年 4 月 Journal of Southern Yangtze University( Natural Science Edition) 　　 　 Ap r . 　2007 　文章编号 :167 1 - 7 147 (2007) 02 - 0 185 - 04 一种新型的高性能带隙基准电压源 朱 颖 , 　何乐年 , 　严晓浪 (浙江大学 超大规模集成电路设计研究所 , 浙江 杭州 3 10027) 摘 　要 : 提出了一种新型的高性能带隙基准电压源 ,该基准电压源采用共源共栅电流镜提供偏置 电流 ,减少沟道长度调制效应带来的误差 ,并增加 1 个简单的减法电路 ,使得偏置电流更好地跟随 μ 电源电压变化 ,从而提高电路的电源抑制 比。整体 电路使用 CSM C 06 m CMO S 工艺 ,采用 H sp ice 进行仿真 。仿真结果表明 ,在 - 50～ + 100 ℃温度范围内温度系数为 293 ×10 - 5 ℃, 电源 抑制比达到 - 842 dB , 电源电压在 35～65 V 之间均可实现 25 ±000 12 V 的输出 ,是一种有效 的基准电压实现方法 。 关键词 : 基准电压源 ;温度补偿 ;温度系数 中图分类号 : TN 432 文献标识码 : A Super Perf ormance CMOS BandGap Voltage Ref erence ZHU Ying , 　H E L enian , 　YAN Xiaolan g ( In stit ut e of VL SI Design , Zhej iang U niver sit y , Hangzhou 3 10027 , China) Abstract :Thi s p ap er p ropo se s a new t yp e of bandgap volt age ref erence A ca sco de current mir ror i s u sed to p ro duce bia s current s and hence PMO S channel lengt h mo dulatio n er ror s are reduced Supp ly noi se i s supp re ssed by adding a simp le volt age subt ractor circuit Simulation u sing H spice i s ba sed on t he CSM C 06um CMO S p roce ss The re sult s show t he t emp erat ure coefficient i s 293 ×105 ℃bet ween t he t emp erat ure range of - 50 ℃to + 100 ℃an d t he P SR i s t he - 842 dB