薄膜混合集成电路的制造工艺.docVIP

薄膜混合元件参数范围宽、精度高、稳定性能温度频率特性好，并且集成度较高、尺寸较小Thin film hybrid circuit ( HIC ) is an aspect of microelectronic technology, microelectronics technology is mainly small electronic components devices composed of electronic system. Mainly depends on the specific process on a separate substrate ( or within ) the passive network interconnection formed and active devices, thus constituting the miniature electronic circuit. Thin film circuit element parameters to its wide range, high precision, good stability, temperature good frequency characteristic, and high integration level, small size, but the process equipment expensive, high production cost. It and semiconductor integrated circuit mutual complement, mutual penetration, has become integrated circuit is an important component, is widely applied in many fields such as low frequency microwave circuit, the electronic equipment miniaturization played an important role in promoting 关键词：薄膜混合电路（HIC）、微电子技术(microelectronic technology)、微型电子电路(miniature electronic circuit) 引言：集成电路电路分为电路半导体集成电。工作频率和速度的提高进一步缩短信号在系统内部的传输延迟时间厚膜电路的优势在于性能可靠，设计灵活，投资小，成本低，多应用大功率的场合薄膜电路件参数范围宽、精度高、稳定性能温度频率特性好集成度较高薄膜电路采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。 薄膜集成电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线，全部用厚度在１微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。薄膜集成电路中的有源器件，即晶体管有两种材料结构形式：一种是薄膜场效应硫化镉或硒化镉晶体管，另一种是薄膜热电子放大器。更多的实用化的薄膜集成电路采用混合工艺，即用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉和抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的连线，再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不使用薄膜工艺制作的功率电阻、大容量的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式，就可以组装成一块完整的集成电路。在同一个基片上用蒸发、溅射、电镀等薄膜工艺制成无源网路,并组装上分立的微型元件、器件,外加封装而成的混合集成电路。所装的分立微型元件、器件，可以是微型元件、半导体芯片或单片集成电路。 按无源网路中元件参数的集中和分布情况，薄膜集成电路分为集中和分布参数两种。前者适用范围从低频到微波波段，后者只适用于微波波段。相比较薄膜电路的特点是所制作的元件参数范围宽、精度高、温度频率特性好，可以工作段。并且集成度较高、尺寸较小。但是所用工艺设备比较昂贵、较高。薄膜混合集成电路适用于各种电路，特别是要求精度高、稳定性能好的。与其他集成电路相比，它更适合于微波电路。主要工艺?薄膜混合集成电路所用基片有多种，最常用的是玻璃基片,其次和被釉陶瓷基片,有时也用蓝宝基片。为了实现紧密组装和自动化生产，一般使用标准基片。在基片上形成薄膜有多种方法。制造薄膜网路常用物理汽相淀积)法,有时还或电镀法。在物理汽相淀积法中，最常用的是蒸发工艺和溅射工艺。这两种工艺都是在真空室中进行的，所以统称为真空成膜法。用这两种方法，可以制造无源网路中的无源元件、互连线、绝缘膜和保护膜。阳极氧化法可以形成介质膜，并能调整电阻膜的阻值。在制造分布参数微波混合集