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CMOS工艺集成 按阱的不同区分： P阱（P-Tub） N阱（N-Tub） 双阱（Twin Tub） 3.12.2 典型的N阱CMOS工艺 CMOS集成电路一般采用(100)晶面的硅材料 工艺基本流程与版图层次的对应关系,共需要7块掩模板。 CMOS反向器版图 1.形成N阱 （1）初始氧化 （2）淀积氮化硅层 （3）光刻一，定义出N阱 （4）反应离子刻蚀氮化硅层 （5）N阱离子注入，注磷 （6）退火 （7）高温阱推进 2 有源区的确定和场氧化(LOCOS) N沟道和P沟道晶体管所在的区域称为有源区 需首先在不同MOS管之间进行场氧。 （1）淀积氮化硅层 (a)生成N阱后，去掉氧化层。 (b)重新生长一层薄的SiO2层，作为薄氮化硅层与硅之间的缓冲层。 (c)淀积一层薄氮化硅层，作为场氧氧化的掩膜。 (d)确定有源区，即n型晶体管和P型晶体管所在区域。 （2）光刻二 有源区光刻，将以后作为有源区的二氧化硅层和薄氮化硅层保留下来。（图a） （3）氧化层生长 在没有氮化硅层保护的区域生长一层较厚的氧化层。(图b) 3 生长栅氧化层和生成多晶硅栅 确定有源区后，开始制做MOS晶体管。 （1）生长栅氧化层： （2）淀积多晶硅 （3）光刻三：光刻多晶硅。 4 形成P沟MOS晶体管 （1）光刻四： P沟MOS晶体管源漏区光刻。 （2）P沟源漏区掺杂。 5 形成N沟MOS晶体管 （1）光刻五： n沟MOS晶体管源漏区光刻。 （2）n沟源漏区掺杂。 6 光刻引线接触孔 （1）氧化 （2）光刻六 7 光刻金属互连线 蒸发或溅射工艺 光刻7：互连线光刻 8 光刻钝化孔 淀积一层钝化层 9 后工序加工 （1）中间测试（2）划片（3）贴片（4）键合 （5）封装（6）筛选（7）测试（8）老化 * * 3.12 CMOS制造工艺 N阱
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