模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准.ppt

第十一章带隙基准 董 刚 Email:gdong@mail.xidian.edu.cn 2010年 本讲内容 概述 与电源无关的偏置 与温度无关的基准 PTAT电流的产生 恒定Gm偏置 实例分析 本讲内容 概述 与电源无关的偏置 与温度无关的基准 PTAT电流的产生 恒定Gm偏置 实例分析 概述 基准是直流量，与电源和工艺参数的关系小，与 温度的关系是确定的。 目的：建立与电源和工艺无关，具有确定温度特 性的直流电压和电流。 形式：与绝对温度成正比（PTAT） 常数Gm特性 与温度无关 概述 本讲内容 概述 与电源无关的偏置 与温度无关的基准 PTAT电流的产生 恒定Gm偏置 实例分析 与电源无关的偏置 与电源无关的偏置 与电源无关的偏置 本讲内容 概述 与电源无关的偏置 与温度无关的基准 PTAT电流的产生 恒定Gm偏置 实例分析 与温度无关的偏置 与温度无关的偏置 与温度无关的偏置 与温度无关的偏置 与温度无关的偏置 与温度无关的偏置 与温度无关的偏置 与温度无关的偏置 与温度无关的偏置 本讲内容 概述 与电源无关的偏置 与温度无关的基准 PTAT电流的产生 恒定Gm偏置 实例分析 PTAT电流的产生 PTAT电流的产生 本讲内容 概述 与电源无关的偏置 与温度无关的基准 PTAT电流的产生 恒定Gm偏置 实例分析 恒定Gm偏置 本讲内容 概述 与电源无关的偏置 与温度无关的基准 PTAT电流的产生 恒定Gm偏置 实例分析 实例分析 实例分析 实例分析 实例分析 实例分析 如何产生IREF？ 负温度系数电压 当VBE＝750mV，T＝300K，为－1.5mV/K 正温度系数电压 VREF=α1VBE+α2(VTln n) α1=1 根据室温时温度系数之和为零， 得到：α2 ln n＝17.2 VREF＝VBE+17.2VT=1.25 PMOS 电流镜保证Q1－Q4的集电极电流相等