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相邻基团的主体结构特征 间接相连基团 直接相连基团 相同H数目 相邻基团影响H身边电子密度,进而影响NMR出峰 位置,根据出峰位置推测是什么基团直接相连还是 间接相连的影响。 常见基团的电负性比H大,对H为去屏蔽效应。 硅电负性接近H,对H去屏蔽效应极弱,理解 为屏蔽效应强。 其它常见基团比于硅,则去屏蔽效应强,使 1H峰出现在低场。 Si: 1.9; H: 2.1 相邻基团的主体结构特征 1、与H直接相连基团对峰位置影响直观 1~6 ROH 2.2~2.9 N-C-H 2.5 C≡C-H 1~5 RNH2 9~10 O=C-H 4.6~6.5 C=C-H 10~13 -COOH 6.5~8.5 Ar-H 1.5 R3CH 1.1 RCH3 1.3 R2CH2 1.5 R3CH RNH2 1~6 ROH 1~5 氨基和羟基类,峰位置不稳定,因为H并不 本分地与N、O相连。 形成氢键远离原依托原子。 解离可彻底摆脱N,O束缚,不同状态呈现 不同峰值,各状态比例则与R的不同及外 部环境(溶剂,温度)相关。各状态快速 互变,测试跟不上变化节奏,测得平均结 果,呈现很宽得峰范围,不具有特征性。 1)在CH3X型化合物中,X电负性越大,甲基碳原子上电子密度越小,甲基上质子所经受的屏蔽效应越小,质子信号出现在低场(? 值会随着H与X距离的增大而减小)。 CH3F CH3Cl CH3Br CH3I 卤原子电负性减小 ?/ppm 4.3 3.1 2.7 2.2 甲基质子经受屏蔽增加 CH3F CH3OCH3 (CH3)3N CH3 CH3 与甲基相连原子电负性减小 4.3 3.2 2.2 0.9 2、与H间接相连基团通过影响与H直接相连原子(多时为C)再影响H核。 2) 吸电子的取代基对屏蔽效应具有加和性,例: CHCl3 CH2Cl2 CH3Cl ?/ppm 7.3 5.3 3.1 3) 双键C-H和芳烃中芳环上质子处于去屏蔽区域 ?/ppm 7.3 5.3 0.9 原因: 4) 炔烃中质子处于电子环流产生的感应磁场中的屏蔽区: ?/ppm 1.8 5) 同一类型化合物中的屏蔽: RCH3 R2CH2 R3CH ?/ppm 1.1±0.1 1.3±0.1 1.5±0.1 6) 羧酸中羟基的屏蔽最小: ?/ppm: 约12.0 (2)每个原子在电子运动的驱动下进行各方向振动。 丙酸 的红外光谱谱图 (3)红外光和这些振动需要的能量吻合时,振动发生,产生吸收,出现吸收谱。 (4) 红外光谱的产生及分子中原子的振动类型 ? 对称伸缩 不对称伸缩 1)伸缩振动: 2)弯曲振动: 剪式振动 平面摇摆 面内弯曲 + + + _ 非平面摇摆 扭曲振动 面外弯曲 ? ? ? ? ? 双原子分子伸缩振动示意图 m1 m2 (5) 伸缩振动受到键弹簧的直接限制,比弯曲 振动(摇头摆尾)难度大,吸收的光波数高。 (6)谱图
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