ＦＩＢ辅助下ＩＣ的ＳＥＭ分析.pdfVIP

第十届全国电子束离子束光子束学术年会 FIB辅助下IC的SEM分析 葛岩．张东明，贾淑文 (北京微电子技术研究所，北京100076) 摘要：随着集成电路尺寸的缩小和集成度的增加，迫切需要高水平的观察分析手段来显示器件 结构，或在失效分析中发现器件的失效点，找出失效的原因，避免其再现。我们利用扫描电镜 一些物理化学手段，建立了一种行之有娃的、直观快速的Ic剖面定住观察与分析方法，为失效 分析扣工艺监控提供了一种非常实用的手段。 关键词：失效分析；聚焦离子束；扫描电镜；剖面定位观察与分析 l前言 分析工作是提高IC工艺和可靠性水平的重要手段。为保证分析结论的正确性，提高分析 水平和分析质量就显得尤为必要和迫切。在失效分析中，失效定位是一个重要步骤，通常采用 的电测法只能定位到芯片的管脚，而芯片内部的失效情况和程度很难得知。尤其是对高集成、 小尺寸的电路，传统的光学显微镜由于分辨率和景深的局限，已不能清晰的观察到电路的内部 结构，更无法准确判断失效部位。扫描电镜由于其分辨率高，景深太，受样品形状局限小，成像 立体感强，正戒为日新月异的IC工业中不可或缺的监测和分析手段之一。场发射扫描电镜更 因其在低电压下的高分辨能力，大大降低了电路的表面电荷积累和造成CMOS器件褥电、击 穿的可能而在半导体工业中得到广泛应用。破坏性物理分析(DPA)和器件结构分析不仅针对 失效器件，也常常应用于未失效器件。在分析过程中，剖面观察非常重要。传统的剖面制作方 法，包括对芯片裂解和研磨，存在着误差太、不易定位、费时等缺点，因薪在小尺寸、高集成的 IC结构分析的实用性上有一定的局限。FIB不仅可以避免这些局限，还可以根据不同的加工 对象，选取不同的柬流，扫描速度及时问，进行连续切削，从而制作完美的理想剖面，同时FIB 系统软件可以将电路的设计版图与IC的FIB图像完全对应起来，实现更加精确的定位。将 FIB与SEM有机结合，即可弥补FIB分辨率低，扫描时间过长易造成样品表面损伤等不足，叉 突破了SEM难于剖面制样的局限，为IC分析提供了一种实用、重要、快速、直观的手段。 2实验 在实验中，我们将传统的剖面制作方法与FIB的剖面制作功能相结合，对IC的特定结构 湖南·长沙 或特定点进行精确的剖切，再通过相应的腐蚀染色加以强化显示，然后运用SEM对其成清晰 图像并进行观察分析和讨论。样片来自对外加工的成品电路和失效片。 身固有的特点，同时结合多种化学气体的辅助，实现对样品的反应刻蚀、金属和绝缘介质的淀 积。因此，除了剖面制作，还具测试点制作和对IC芯片的修改功能。现进行的最小操作面积 达0 1kV下4nm，本文所用像片全部是在低电压，未溅射镀层条件下得到的。 3实验结果与讨论 3．I多层布线结构和接触孔、通孔 铝与扩散区、铝与多晶硅的接触孔工艺及多层布线的通孔工艺是影响可靠性的重要因素。 清晰地给出接触孔和通孔剖面的完美图像就显得尤为必要。图1和图2分别为铝与扩散区的 接触孔以及一层铝和二层铝间的通孔剖面图。而图3所示的接触孔剖面，在孔处的铝层明显 变薄，对可靠性是十分不利的。此缺陷在表面检验和参数测试中是很难发现的，通过剖面结构 的扫描电镜照片可及时发现工艺中的问题，并为改进工艺提供了分析途径。 3．2器件剖面结构 在集成电路中，器件内部的不同结构相对于布线来讲，更难于直观的观察到。我们通过反 复的实验和研究，采用不同的条件，不仅可以给出非常完美的器件剖面图像，而且对不同掺杂、 不同浓度的结构可以显示出其区别所在。图4所示可明显看到P+结和n+结的不同。再如在 CMOS集成电路中为减轻深亚微米器件的热载流子效应，提高源漏击穿电压，常常采用轻掺杂 Doped 水平，人们提出了中等掺杂漏(MDD—Moderately Diffused 杂区的浓度，形成较深的结。DDD结构是通过在器件侧墙形成后剂量注磷(大于E15iorm／ cm2)来形成源漏区，通过栗用大剂量注入覆盖LDD区并形成深源漏结。圈5是三种结构的剖 面示意图。图6则为三种结构的SEM照片。器件的截面剖析不仅能验证相关的工艺和结构， 还可以发现隐藏的工艺缺陷，更易于找出器件潜在的失效点，追朔其形成的工艺步骤。如图7 中所示的倒梯形硅栅结构，极易造成源漏的漏电增加和台阶处断铝等严重缺珞，引起器件失 效。