横向驱动多晶硅热执行器阵列的设计和制备.pdfVIP

STC’99 横向驱动多晶硅热执行器阵列的设计与制备+ 黄庆安 匡一宁 秦明 粤 (东南大学徽电子中心，南京，210096) 摘要本文根据热传导原理分析了横向驱动多晶硅热执行器阵列的温度分布；根据结构力学 建立了热执行器阵列的宏模型；计算了执行器阵列的偏转与外加电压的关系；提出了计算驱 毫 动力的方法。采用多晶硅表面微机械加工方法，制备了阵列并进行了测试。 一．刖高 静电驱动执行器已得到了广泛的研究，它的优点是功耗低、工作频率高。但执行器的极 板间距对工艺要求苛刻、工作电压高难以与Ic电压兼容。基于热膨胀效应的执行器是另一类 执行器0-21，它可以通过改变执行器的结构尺寸来调整工作电压。尤其是多晶硅热执行器，通 过调整多晶硅电阻率就可使执行器工作在Ic的电流，电压范围pI。这类执行器已在光纤开关、 反光镜、步进马达和微型爪等中应用佤4I。而对于很多应用领域，要求执行器能够提供更高的 驱动力，由于微加工执行器尺寸小，仅能提供有限的驱动力。将相同执行器连接成阵列是解 决该问题行之有效的方式。由于阵列结构有较多的连接点，分析其性能较为困难。本文采用 结构力学的有关方法建立了多晶硅热执行嚣阵列工作的宏模型。用表面微机械加工技术制备 了执行器阵列并进行了测试，结果表明宏模型可以进行系统级模拟。 二．宏模型 MEMSCAD要求宏模型能够正确反映执行器的几何结构尺寸和材料特性参数，最好是 解析的或简单的数值分析。过去对单个热执行器分析采用了数值方法(如用ANSYS分析)【垌 或解析的方法∞1。本文将建立执行器阵列的宏模型。 2．1电热分析 单个执行器原理图示于图la．阵列示于图lb。在外加电流不是很大时，热执行器的散熟 机制主要是热传导19】。根据这种考虑，可以得到多晶硅的导热方程： ％窘+j2p=鲁掣 ㈤ 式中K，是多晶硅的热导率．J为电流密度，p是多晶硅电阻率，S是热导形状因子，RT 是热阻，h是多晶硅厚度。该方程通过变换，可得到解析解。通过不同截面多晶硅的连接条 件，得到多晶硅阵列的温度分布。由于阵列的对称性，故只考虑半边结构即可。图2给出了 教育部优秀年轻教师基金和江苏省跨世纪人才基金资助项目 特定尺寸豹阵列温度分布。 2．2偏转分析 我们将阵列假定为平面剐架结构，并用结构力学的刚架分析求结构顶端的位移。根据对 称性，可知热执行器连接有五个未知力捣(i=1到5)，根据力法可得如下方程(‘。l： ● Z， Z： 厶厶 丘厶 ■屯 (2) ● ^。厶 厶Toooooooo卫～。％ =巨 马圮 陟b】=扛】 式中田表示挠性系数矩阵，可通过图乘法得到：△‘表示沿xi方向的热膨胀量，可根据 上节的温度分布和热膨胀系数求得。 用【f】。1表示【f】的逆，则有 f工】=【f]-5【甜】 (3) 根据上述求得的未知力琏．就可根据虚功原理求结构的位移： “；J挚 ㈣ 式中丽表示单位力作用下各杆的弯矩，M表示K作用下各杆的弯矩，El表示杆的刚度。 2．3驱动力分祈 如果没有外加电压，执行器阵列处于静止状态。假定有一外加力施加在叉架的中心，则