微波退火非晶硅薄膜低温晶化研究.pdfVIP

维普资讯 第23卷第 1期 压 电 与 声 光 Vol23No 】 z001年 2月 PIEZOELECTRICS8LACOUSTOOPTICS Feb 2001 文章编号：1004—2474(2001 微波退火非晶硅薄膜低温晶化研究 饶 瑞 ，徐重阳 ，孙国才。，曾祥斌 (1华中科技大学 电子科学与拄术系，武汉 430074；2 华中科拄大学 物理系-武汉 430074 摘 要 ：多晶硅薄膜 晶体管以其独特的优点在液晶显示领域 中起着重要 的作用。为丁满足在普通玻璃衬底 制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器 低温制备 (600。C)高质量多晶硅薄膜己成为研究热点。文章研究丁 一 种低温制备多晶硅薄膜的新工艺：微波退火非晶硅薄膜固相晶化法，利用x射线衍射、拉曼光谱和扫描电镜分析 了微波退火工艺对非晶硅薄膜固相晶化的影响 成功实现了低温制备多晶硅薄膜。 关键词 ：微波退火；低温晶化；非晶硅薄膜；多晶硅薄膜 中圈舟类号：TN304．055 文献标识码：A StudyontheCrystallizati0nofAmorphousSilicon ThinFilm byM icrowaveAnnealingatLow Temperature RAO Rui．XU Chong—yang ，SUN Guo—cai，ZENG Xiang—bin (1Dept。{E[ectron[csSciencesLTechno[ogy．HuazhongUaiversityofSdencesLTechnology·Wuhaa430074·China 2Dept．ofPhysicsk~uazhongUniversityofScience8LTechno[ogy，Wuhan430074，China) Abstract：Poiycrystallinesiliconthinfilm transistorhasp[ayedadominantroleintheareaofliqmddisplay Preparationofpolycrystallinesiliconthinfilm withhighqualityatlow temperature( 600。C)hasbeenrecentlybe comeoneofthehotspotsinordertomeettherequirementofpolycrystallinesiliconthinfilm transistorsintheac— tirematrixliquidcrystaldisplay0nthesubstrateofcommonglass．Wedevelopedanew processforpreparingpoly crystallinesiliconthinfihnatlow temperaturebymicrowave—inducedsolidphasecrystallizationofamorphoussili conthintilm Theinihience。fmicrowaveannealingprocessonthecrystallization 。famorphoussihconthinfilm has beenstudiedbyXRD ，ralTtan spectrum and SEM And thenpolycrystallinesiliconthinfilm wasprepared atlow ternperature Keywords：microwaveannealing；crystalli~adonatlow temperature：amorphoussiliconthinfilm ；crysta