S参数在高频测量中的妙用.docVIP

S参数在高频测量中的妙用在个人计算机平台迈入 GHz阶段之后，从计算机的中央处理器、显示界面、存储器总线到I/O接口，全部走入高频传送的国度，于是高频参数的测量便浮出了台面。 通常高频测量必须考虑的基本项目包括下面几个：  Impedance─特性阻抗。我们常见的电缆/信号线有50、75、100欧姆等不同的阻抗标示，此处所指的阻抗并非直流电阻，而是所谓的特性阻抗，也就是信号传输的每一个经过驿站所面临的阻抗。  S-Parameters——S参数（S11、S21、S12、S22）  Propagation Delay——传播延迟  SWR——驻波比  Crosstalk——串音 信息电子产品的运算速度与传输信息量大幅提升，相关电子零部件的高频特性也愈显重要。如PCB、缆线、连接器等过去被视为单纯桥接作用的零部件，为满足高频应用的需要，现有规格逐渐纳入了衰减、特性阻抗、串音、传输延迟、传输延迟时滞、隔离效果、信号抖动等高频特性的项目。本文将主要介绍S参数在高频测量中的应用。 在高速传输运作下，信号载送的质量相当重要，为了获得最大的传输效率，各项高频参数将成为设计、除错改良、实际应用上的重要参考依据，并须特别注意阻抗（Impedance）的匹配问题、信号延迟时间（Propagation Delay）、时滞（Propagation Skew）、噪声（Noise）、信号损失（Loss）以及信号衰减（Attenuation）等课题。然而，这些参数不容易推算及测量，必须依靠高精密度的仪器来协助才能求得准确的数值。一般来说，在高频测试中所使用的仪器大致上有“时域反射计”（Time Domain Reflectometry）以及“网络分析仪”（Network Analyzer）。 对工程人员来说，S参数是一个重要的指标，S参数的原文名称是“Scattering-Parameter”。电磁能量是在空气等介质或导体中以电磁波形式传送，电磁波会因为回路特性阻抗的不匹配而产生信号反射。当回路内有无数个信号反射时，电磁能量分布与时间的变化就显得相当复杂。 在频率较低的场合，零部件的大小与构成信号波形的波长相比显得微小。反射波的影响相对于信号变化时间，很短时间内退出，故呈现稳定的状态。因此，可采用电压电流比的阻抗来表现器件的固有特性。一般是以“集中定数”回路来视之。也有人用节点（Lump）电路来称呼。其回路器件基本特征为：  电阻：能量损失（发热）  电容：静电能量  电感：电磁能量 然而，对于高频的元器件与回路而言，相对于元器件内部电磁波传送速度，零部件的大小就不能忽视了。毕竟，在零部件内部电磁波的进行波与反射波的干涉失去了一致性，电压电流比的稳定状态固有特性再也不适用，取而代之的 是“分布定数”的特性阻抗观 念，也有人用分布（Distributed） 电路来称呼。因此，分布定数回路零部件所考虑的要素是与电磁波的传送与反射为基础的要素，也就是：  反射系数  衰减系数  传送的延迟时间 以上的多种考虑，就是S参数概念的基本源头。 低频传送线路可以采用底下双端口（2 Port）回路的电压电流关系呈现回路的特性。请注意，此处所提及的网络是指电路，而非服务器连网或因特网。 常用到的各种参数，不外乎有Z参数、Y参数与F参数等。F参数（image parameters）的表现如下式： [ V1 ] [ A B ] [ V2 ] [ ] = [ ] [ ] [ I1 ] [ C D ] [ I2 ] .............（1） Z参数（open-circuit impedance parameters）的表现如下式： [ V1 ] [ Z11 Z12 ] [ I1 ] [ ] = [ ] [ ] [ V2 ] [ Z21 Z22 ] [ I2 ]..........（2） Y参数（short-circuit admittance parameters）的表现如下式： [ I1 ] [ Y11 Y12 ] [ V1 ] [ ] = [ ] [ ] [ I2 ] [ Y21 Y22 ] [ V2 ]..........（3） 请留意，无论是上述的哪一个参数，都可以采用终端短路或终端开路的简单测定方式。以下就以Y参数为示范来说明。 I1 = Y11V1 + Y12V2 I2 = Y21V1 + Y22V2 当终端短路时，也就是V2=0时，Y21 = I2/V1。若是在晶体管的场合，便可借助于Z参数与Y参数混合衍生出来的h参数。 然而，跃进高频的国度，引线的电感量、端点的电容量所引起的影响也不容忽视，不是单纯的终端短路状态（阻抗