二极管、三极管、场效应管的学习.docVIP

二极管 5.1.5 半导体二极管的型号命名二极管的型号命名通常根据国家标准GB-249-74规定，由五部分组成。第一部分用数字表示器件电极的数目；第二部分用汉语拼音字母表示器件材料和极性；第三部分用汉语拼音字母表示器件的类型；第四部分用数字表示器件序号；第五部分用汉语拼音字母表示规格号。如表所示。 表 5.1 国产半导体器件的命名方法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 符号 意义 字母 意义 字母 意义 字母 意义 意义 意义 2 二极管 A N型，锗材料 P 普通 X 低频小功率 （?a＜3MHz，PC＜1W 反映二极管、三极管参数的差别 反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。如A、B、C、D…其中承受的反向击穿电压最低，B稍高 B P型，锗材料 W 稳压管 C N型，硅材料 Z 整流管 G 高频小功率 ?a＞3MHz，PC＜1W D P型，硅材料 L 整流堆 3 三极管 A PNP型，锗材料 N 阻尼管 D 低频大功率 ?a＜3MHz，PC＞1W B NPN型，锗材料 K 开关管 C PNP型，硅材料 F 发光管 A 高频大功率 ?a＞3MHz，PC＞1W D NPN型，硅材料 S 隧道管 E 化合物材料 U 光电管 T 可控硅 CS 场效应管 BT 特殊器件 2.日本半导体器件的命名方法 日本半导体器件命名型号由五部分组成。 第一部分用数字表示半导体器件有效数目和类型。1表示二极管，2表示三极管； 第二部分用S表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件； 第三部分用字母表示该器件使用材料、极性和类型； 第四部分表示该器件在日本电子工业协会的登记号； 第五部分表示同一型号的改进型产品。具体符号意义如表5.2所示。 表5.2 日本半导体器件的命名 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 序号 意义 符号 意义 序号 意义 序号 意义 序号 意义 0 光电二极管或三极管 S 已在日本电子 工业协会注册 登记的半导体 器件 A PNP高频晶体管 多位数字 该器件在日本电子工业协会的注册登记号 A B C D . 该器件为原型号产品的改进产品 B NP低频晶体管 C NPN高频晶体管 1 二极管 D NPN低频晶体管 2 三极管或有三个电极的其他器件 E P控制极可控硅 G N控制极可控硅 H N基极单结晶管 J P沟道场效应管 3 四个电极的器件 N沟道场效应管 M 双向可控硅 3.美国半导体器件的命名方法 美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。 第一部分为前缀； 第二部分、第三部分、第四部分为型号基本部分； 第五部分为后缀；这五部分符号及意义如表5.3所示。 表5.3 美国半导体器件的命名 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用符号表示器件的类别 用数字表示PN结数目 美国电子工业协会注册标志 美国电子工业协会登记号 用字母表示器件分挡 序号 意义 符号 意义 序号 意义 序号 意义 序号 意义 JAN或J 军用品 1 二极管 N 该器件是在美国电子工业协会注册登记的半导体器件 多位数字 该器件在美国电子工业协会的注册登记号 A B C D . . . 同一型号器件的不同挡别 2 三极管 无 非军用品 3 三个PN结器件 4 N个PN结器件 5.1.6 二极管的伏安特性 实际的二极管伏安特性曲线如图5.5所示，实线对应硅材料二极管，虚线对应锗材料二极管。 图5.5 二极管的伏安特性曲线 1.正向特性 当二极管承受正向电压小于某一数值(称为死区电压)时，还不足以克服PN结内电场对多数载流子运动的阻挡作用，这一区段二极管正向电流IF很小，称为死区。死区电压的大小与二极管的材料有关，并受环境温度影响。通常，硅材料二极管的死区电压约为0.5V，锗材料二极管的死区电压约为0.1V。 当正向电压超过死区电压值时，外电场抵消了内电场，正向电流随外加电压的增加而明显增大，二极管正向电阻变得很小。当二极管完全导通后，正向压降基本维持不变，称为二极管正向导通压降UF。一般硅管的UF为0.7V，锗管的UF为0.3V。以上是二极管的正向特性。 2.反向特性 当二极管承受反向电压时，外电场与内电场方向一致，只有少数载流子的漂移运动，形成的漏电流IR极小，一般硅管的IR为几微安以下，锗管IR较大，为几十到几百微安。这时二极管反向截止。 当反向电压增大