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第8章 光电式传感器 传感器原理及工程应用 光电式传感器是将被测量的变化转变为光信号，再转换为电信号的一种传感器。 第8章 光电式传感器 光电器件响应快、结构简单、 使用方便, 而且有较高的可靠性, 在自动检测、计算机和控制系统中, 应用广泛。 光源 光学通路 被测量 被测量 光量 光量 测量电路 电量 光电器件 电量 原理框图 光电器件是将光能转换为电能的一种传感器件, 它是构成光电式传感器最主要的部件。 8.1 光电器件 光电器件工作的物理基础是光电效应。 在光作用下, 物体的电导性能改变的现象称为内光电效应, 如光敏电阻等就属于这类光电器件。 在光作用下, 能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应, 如光电管、光电倍增管就属于这类光电器件。 在光作用下,使物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏特效应,即阻挡层光电效应,如光电池、光敏晶体管等。 1、外光电效应 光子能量E=hv 2、内光电效应 光敏电阻又称光导管, 是用半导体材料制成的光电器件。 光敏电阻没有极性, 使用时既可加直流电压,也可以加交流电压。暗电阻很大,暗电流很小。 8.1.1 光敏电阻 １．光敏电阻的结构与工作原理 当光敏电阻受到一定波长范围的光照时, 它的阻值（亮电阻）急剧减少, 电路中电流迅速增大。 暗电阻越大越好,亮电阻越小越好,光敏电阻的灵敏度高。 光敏电阻的暗电阻值在兆欧级, 亮电阻在几千欧以下。 在半导体光敏层上覆盖了一层漆膜, 漆膜的成分应使它在光敏层最敏感的波长范围内透射率最大。 光敏电阻的原理结构 １)暗电阻：不受光时的阻值称为暗电阻,电流称为暗电流 1)伏安特性:一定照度下,流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系称为光敏电阻的伏安特性 ２． 光敏电阻的主要参数 ２)亮电阻：受光照时的电阻称为亮电阻,电流称为亮电流 ３)光电流：亮电流与暗电流之差称为光电流。 ３． 光敏电阻的基本特性 图为硫化镉光敏电阻的伏安特性曲线。在一定范围内阻值与入射光量有关,与电压、电流无关。 2）光谱特性:光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系称为光谱特性, 亦称光谱响应。 图为几种不同材料光敏电阻的光谱特性。 对于不同波长,光敏电阻的灵敏度是不同的 硫化镉光敏电阻的光谱响应的峰值在可见光区域, 常被用作光度量测量（照度计）的探头。而硫化铅光敏电阻响应于近红外和中红外区, 常用做火焰探测器的探头。 3）温度特性：温度变化影响光敏电阻的光谱响应, 灵敏度和暗电阻,尤其是硫化铅光敏电阻受温度影响更大。 图为硫化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线, 它的峰值随着温度上升向波长短的方向移动。 因此, 硫化铅光敏电阻要在低温、恒温的条件下使用。 对于可见光的光敏电阻, 其温度影响要小一些。  光敏二极管无光照,处于截止状态,光照时,处于导通状态 8.1.2 光敏二极管和光敏晶体管 １． 结构原理 光敏二极管装在透明玻璃外壳中,其PN结装在管的顶部,可以直接受到光照射(见右图) 光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态（见下图） 多数光敏晶体管的基极无引出线, 当集电极加上相对于发射极为正的电压而不接基极时, 集电结就是反向偏压； 光敏二极管和光敏晶体管的材料几乎都是硅（Si）。 集电极电流是光生电流的β倍,故光敏晶体管有放大作用 有单体型和集合型, 集合型是在一块基片上有两个以上光敏二极管, 如CCD图像传感器中的光电耦合器件。 当光照射在集电结上时, 就会在结附近产生电子-空穴对, 从而形成光电流, 相当于三极管的基极电流。 光敏晶体管有两个PN结,发射极做得大,扩大光的照射面积 图为NPN型光敏晶体管的结构简图和基本电路。 当入射光的波长增加或缩短时, 相对灵敏度也下降。 ２． 基本特性 １)光谱特性:光敏二极管和晶体管的光谱特性曲线如图 锗管的暗电流较大,性能较差,在可见光或探测赤热状态物体时用硅管。对红外光探测时,锗管较为适宜。 ２)伏安特性：图为硅光敏管在不同照度的伏安特性曲线 900 1500 S% 硅 锗 l/nm 光敏晶体管的光电流比相同管型的二极管大上百倍。  ３)温度特性：光敏晶体管的温度特性是指其暗电流及光电流与温度的关系。光敏晶体管的温度特性曲线如图所示 温度对光电流影响很小,对暗电流影响很大, 在电子线路中应该对暗电流进行温度补偿, 否则将会导致输出误差。 每吸收一个光子就产生一对自由电子和空穴,电子空穴对从表向内扩散,在结电场的作用下, 最后建立一个与光照强度有关的电动势。图为工作原理图 8.1.3 光电池 光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器件。 光电池的工作原理是基于“光生伏特效应”。 A A I 光电池的基本特性 １） 光谱特性：对不同波长的光的灵敏度是不同的。 图为硅光电池和硒光电池的光谱特性曲线