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单干扰旁瓣对消器的方向性性能仿真分析.pdf
清华大学学报 自然科学版 年第 卷第 期
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单干扰旁瓣对消器的方向性性能仿真分析
李 丹 张 冯正和
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清华大学电子工程系 北京
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摘 要 为了研究干扰对消对阵列方向性的影响 引入了主 阵列天线的空域滤波技术一直受到关注 文
D !
H
阵列方向图的峰瓣比 对消单元峰扰比和峰信比 个参数
# $ 利用低旁瓣阵列设计抑制数目较多的干扰 以低
5$6 =
通过对这几个参数的仿真可看出 阵元数的变化不影响方
% 复杂度获得了较大的系统性能改善 但在复杂的通
=
向性随峰瓣比变化的曲线形状 峰扰比大于峰瓣比或者峰
信环境中 强度很大的干扰不可避免 仅依靠低旁瓣
= =
瓣比小于 时的旁瓣对消会导致方向性的严重恶化 表
’( $
)* 无法有效抑制 如果引入旁瓣对消技术 既能对强干
H =
明方向性的起伏与阵列增益没有必然的联系 而峰瓣比和峰
! 扰进行抑制 又能保持方向图的形状 而且运算量很
= =
扰比的大小关系以及峰瓣比的绝对值起着决定性的作用 对
$ 小 效费比很高
= H
一个弧形阵列旁瓣对消器的改进设计验证了该结论可以从
旁瓣对消器最早由 在 世纪 年代
7@/AA1 *% ’%
线阵推广到任意阵列$ 5*6
末提
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