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Area 页次 英文名称 中文名称 PEI 1 Active Area 主动区（工作区） PH 2 ACETONE 丙酮 PH 3 ADI 显影后检查 ET 4 AEI 蚀刻后检查 PT 5 AIR SHOWER 空气洗尘室 PH 6 ALIGNMENT 对准 DF 7 ALLOY/SINTER 熔合 TF 8 AL/SI 铝/硅 靶 TF 9 AL/SI/CU 铝/硅/铜 TF 10 ALUMINUN 铝 TF 11 ANGLE LAPPING 角度研磨 TF 12 ANGSTRON 埃 TF 13 APCVD（ATMOSPRESSURE） 常压化学气相沉积 DF 14 AS75 砷 ET 15 ASHING，STRIPPING 电浆光阻去除 PEI 16 ASSEMBLY 晶粒封装 PEI 17 BACK GRINDING 晶背研磨 PH 18 BAKE, SOFT BAKE, HARD BAKE 烘烤，软烤，硬烤 DF 19 BF2 二氟化硼 DF 20 BOAT 晶舟 ET 21 B.O.E 二氧化硅蚀刻液 PEI 22 BONDING PAD 焊垫 DF 23 BORON 硼 TF 24 BPSG 含硼及磷的硅化物 PEI 25 BREAKDOWN VOLTAGE 崩溃电压 PEI 26 BURN IN 预烧试验 PEI 27 CAD 计算机辅助设计 PH 28 CD MEASUREMENT 微距量测 ET 29 CH3COOH 醋酸 TF 30 CHAMBER 真空室,反应室 PEI 31 CHANNEL 信道 PEI 32 CHIP ,DIE 晶粒 PEI 33 CLT（CARRIER LIFE TIME） 载子生命周期 PEI 34 CMOS 互补式金氧半导体 PH 35 COATING 光阻覆盖 ET 36 CROSS SECTION 横截面 PEI 37 C-V PLOT 电容,电压图 QA 38 CWQC 全公司品质管制 PT 39 CYCLE TIME 生产周期时间 PT 40 CYCLE TIME 生产周期时间 PEI 41 DEFECT DENSITY 缺点密度 PH 42 DEHYDRATION BAKE 去水烘烤 DF 43 DENSIFY 密化 ET 44 DESCUM 电浆预处理 PEI 45 DESIGN RULE 设计规范 PEI 46 EDSIGN RULE 设计准则 DF 48 DIFFUSION 扩散 DF 49 DI WATER 去离子水 DF 50 DOPING 参入杂质 PEI 51 DRAM , SRAM 动态,静态随机存取内存 DF 52 DRIVE IN 驱入 PH 53 E-BEAM LITHOGRAPHY 电子束微影技术 PEI 54 EFR（EARLY FAILURE RATE） 早期故障率 PEI 55 ELECTROMIGRATION 电子迁移 PEI 56 ELECTRON/HOLE 电子/ 电洞 DF 57 ELLIPSOMETER 椭圆测厚仪 PEI 58 EM（ELECTRO MIGRATION TEST） 电子迁移可靠度测试 ET 59 END POINT DETECTOR 终点侦测器 DF 60 ENERGY 能量 DF 61 EPI WAFER 磊晶芯片 PEI 62 EPROM (ERASABLE-PROGRAMMABLE ROM） 电子可程序只读存储器 PEI 63 ESD ELECTROSTATIC DAMAGE ELECTROSTATIC DISCHARGE 静电破坏静电放电 ET 64 ETCH 蚀刻 PH 65 EXPOSURE 曝光 PT 66 FABRICATION（FAB） 制造 PEI 67 FBFC（FULL BIT FUNCTION CHIP） 全功能芯片 PEI 68 FIELD/MOAT 场区 DF 69 FILTRATION 过滤 PEI 70 FIT（FAILURE IN TIME） PEI 71 FOUNDRY 客户委托代工 PEI 72 FOUR POINT PROBE 四点侦测 ET 73 MEGA SONIC CLEAN 超音波清洗 TF 74 FTIR 傅氏转换红外线光谱分析仪 PEI 75 FTY（FINAL TEST YIELD） 最终测试良率 PEI 76 FUKE DEFECT DF 77 GATE OXIDE 闸极氧化层 PEI 78 GATE VALVE 闸阀 PEI 79 GEC（GOOD ELECTRICAL CHIP）