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3. 半导体三极管及放大电路基础 3.1 半导体BJT 3.1.1 BJT的结构简介 BJT常称为晶体管，根据结构不同，分为NPN型和PNP型。 * * 集电区 基区 发射区 c 集电极 b 基极 e 发射极 N N P c e b 集电区 基区 发射区 c 集电极 b 基极 e 发射极 P P N c e b NPN型BJT PNP型BJT 3.1.1 BJT的电流分配与放大作用 1. 结构和类型 （1）晶体管有三个电极、两个PN结。发射区掺杂浓度高，基区薄，集电区掺杂浓度低，集电结的面积比发射结的大。 （2）按结构不同分为：NPN型、PNP型，符号不同。按材料不同分为：硅（Si）管、锗（Ge）管。 还可以按工艺结构、工作频率范围、用途等进行分类。 如果孤立地看待这两个反向串联的PN结，或将两个普通二极管串联起来组成三极管，是不可能具有电流的放大作用。具有电流放大作用的三极管，PN结内部结构的特殊性是： （1）为了便于发射结发射电子，发射区半导体的掺杂溶度远高于基区半导体的掺杂溶度，且发射结的面积较小。 （2）发射区和集电区虽为同一性质的掺杂半导体，但发射区的掺杂溶度要高于集电区的掺杂溶度，且集电结的面积要比发射结的面积大，便于收集电子。 （3）联系发射结和集电结两个PN结的基区非常薄，且掺杂溶度也很低。 要使三极管具有电流的放大作用，除了三极管的内部因素外，还要具备发射极为正向偏置，集电结为反向偏置的外部条件。 放大器是一个有输入和输出端口的四端网络，要将三极管的三个引脚接成四端网络的电路，必须将三极管的一个脚当公共脚。取发射极当公共脚的放大器称为共发射极放大器。 共发射极电路三极管内部载流子运动情况如图所示。 图中共发射极电路三极管内部载流子的运动规律可分为以下的几个过程。 （1）发射区向基区发射电子的过程 发射结处在正向偏置，使发射区的多数载流子（自由电子）不断的通过发射结扩散到基区，即向基区发射电子。与此同时，基区的空穴也会扩散到发射区，由于两者掺杂溶度上的悬殊，形成发射极电流IE的载流子主要是电子，电流的方向与电子流的方向相反。发射区所发射的电子由电源EC的负极来补充。 （2）电子在基区中的扩散与复合的过程 扩散到基区的电子，将有一小部分与基区的空穴复合，同时基极电源EB不断的向基区提供空穴，形成基极电流IB。由于基区掺杂的溶度很低，且很薄，在基区与空穴复合的电子很少，所以，基极电流IB也很小。扩散到基区的电子除了被基区复合掉的一小部分外，大量的电子将在惯性的作用下继续向集电结扩散。 （3）集电结收集电子的过程 反向偏置的集电结在阻碍集电区向基区扩散电子的同时，空间电荷区将向基区延伸，因集电结的面积很大，延伸进基区的空间电荷区使基区的厚度进一步变薄，使发射极扩散来的电子更容易在惯性的作用下进入空间电荷区。集电结的空间电荷区，可将发射区扩散进空间电荷区的电子迅速推向集电极，相当于被集电极收集。集电极收集到的电子由集电极电源Ec吸收，形成集电极电流IC。 VCC VBB – + + b – i E= IE + Δi E i B= IB + Δi B i C= IC + Δi C + – ΔUO ΔUI c e RL ? 共射极放大电路 根据节点电流定律可得，三极管三个电极的电流IE、IB、IC之间的关系为 IE=IB+IC 3. 放大状态的直流偏置和电流分配 三极管的特殊结构使IC远远大于IB，令 称为三极管的直流电流放大倍数。它是描述三极管基极电流对集电极电流控制能力大小的物理量， 大的管子，基极电流对集电极电流控制的能力就大。 是由晶体管的结构来决定的，一个管子做成以后，该管子 就确定了。 发射结 集电结 N P N i E αi E (1-α)i E i CBO i C i B i E RE VEE VCC ? B E C Je正偏，使大量多子从发射区扩散到基区，成为非平衡少子。一少部分复合，形成大小等于(1-α)IE的基极电流，绝大部分漂移到集电极形成大小等于αIE集电极电流。由于少子漂移，还有很小的ICBO从集电极经集电结流到基极。IC略小于IE，近似于αIE ，故α1，称为晶体管共基极电流放大系数； 而IC约为βIB ，β1，称为晶体管共射极直流电流放大系数。 偏置与工作状态 （1）为使发射区发射电子，集电区收集电子，发射结加正向电压（正向偏置），集电结加反向电压（反向偏置），这时晶体管处于放大状态。 （2）发射结、集电结均为正向偏置，为饱和状态。 （3）均为反向偏置，为截止状态。 （4）发射结反向偏置、集电结正向偏