第1章 半导体二极管和三极管.pptVIP

第二部分 电子技术基础知识 模块一 半导体二极管和三极管 模块二 基本放大电路 模块三 集成运算放大器 模块四 直流稳压电路 模块五 数字逻辑电路 模块六 时序逻辑电路 模块七 555定时器及其应用 模块八 数模与模数转换电路 模块一 半导体二极管和三极管 项目一 半导体基本知识 自然界中容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 半导体具有独特的导电性能。它对温度和光的反应特别灵敏，当温度升高或光照时，它的导电能力会显著增加。特别是，如果在纯净的半导体中加入适量的微量杂质后，其导电能力可增加数十万倍以上。这些特性表明，半导体的导电能力在不同条件下有很大的差别，可以人为地加以控制，这就使半导体能够得以广泛地应用。 1.　本征半导体 半导体中存在两种载流子：一种是带负电的自由电子,另一种是带正电的空穴。它们在外电场的作用下都有定向移动的效应，都能运载电荷形成电流通常称为载流子。金属导体内的载流子只有一种，就是自由电子，但数目很多，远远超过半导体中载流子的数量，所以金属导体的导电性能比半导体好。 本征半导体又称为纯净半导体，其内部空穴的数量和自由电子的数量相等。例如，硅单晶体、锗单晶体，就是纯净半导体。 2.　杂质半导体 本征半导体导电能力很差，但如果在本征半导体掺入微量的其他元素的原子，就会使其导电能力大大提高。这些微量元素的原子称为杂质。常用的杂质为三价和五价元素，如硼、磷等。掺入杂质后形成的半导体称为杂质半导体。根据掺入杂质的不同，杂质半导体有N型和P型两种。 （1）N型半导体 在纯净的硅（或锗）晶体中，掺入少量五价元素，如磷、砷等。由于空穴数量远少于自由电子数量，故自由电子被称为多数载流子（简称多子），空穴被称为少数载流子（简称少子）。这种杂质半导体主要以电子导电为主，称为电子半导体，简称N型半导体。 （2）P型半导体 在纯净的硅（或锗）晶体中，掺入少量三价元素，如硼、铝等，硼原子等。使半导体中出现大量空穴。由于空穴数量远多于自由电子的数量，故空穴被称为多数载流子，自由电子被称为少数载流子。这种杂质半导体主要靠空穴导电，称为空穴半导体，简称P型半导体。 项目二 PN结 1.　PN结的形成 P型半导体和N型半导体结合在一起时，如图1-1所示。半导体内的载流子发生扩散：结果是在N区留下带正电的离子（图中用⊕表示），而P区留下带负电的离子（图中用Θ表示），它们集中在交界面两侧形成一个很薄的空间电荷区，在就是PN结。 2.　PN结的单向导电性 （1）PN结外加正向电压 如图1-2所示，电源的正极接P区，负极接N区。这种接法叫做给PN结外加正向电压，又叫正向偏置，简称正偏。这时外加电压在耗尽层中建立的外电场与内电场方向相反，削弱了内电场，使空间电荷区变窄，使多数载流子的扩散运动大于少数载流子漂移的运动。在电源的作用下，多数载流子就能越过空间电荷区形成较大的扩散电流。这个电流从电源的正极流入P区，经过PN结由N区流回电源的负极，称为正向电流。PN结处于导通（导电）状态，此时PN结呈现的电阻称为正向电阻。由于多数载流子浓度较大，当外加电压不太高时就可以形成很大的正向电流，所以PN结的正向电阻较小。 （2）PN结外加反向电压 如图1-3所示，电源的正极接N区，负极接P区。这种接法叫做给PN结外加反向电压，又叫反向偏置，简称反偏。这时外加电压在耗尽层中建立的外电场与内电场方向一致，增强了内电场，使空间电荷区加宽，多数载流子的扩散运动难于进行，但有利于少数载流子漂移的运动。在外电场的作用下，N区的少数载流子空穴越过PN结进入P区，P区的少数载流子自由电子越过PN结进入N区，形成了漂移电流，这个电流由N区流向P区，故称为反向电流。由于少数载流子浓度很小，即使它们全部漂移，其反向电流还是很小的，PN结基本上可认为不导电，处于截止状态。此时的电阻称为反向电阻，它的数值很大。 由上述分析可知，PN结加正向电压时处于导通状态，PN结加反向电压时处于截止状态，在就是PN结的单向导电性。 项目三 半导体二极管 半导体二极管（简称二极管）是由一个PN结加上电极引线和管壳构成的。表示符号如图1-4所示。 半导体二极管按结构可分为点接触型和面接触型两类。 （1）点接触型：其特点是PN结面积很小，因而结电容很小，其高频性能好，但不能通过大电