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2.1 双极型半导体三极管 4. 各电极电流关系及电流放大作用 1、输入特性曲线 2、 输出特性曲线 四、 三极管的主要参数 （1）. 共发射极电流放大系数，? 二、交流（动态）分析 二、小信号等效电路分析法 (2)晶体三极管电路交流分析 附：三极管使用基本知识 一、三极管外形及引脚排列 下一页 总目录 章目录 返回 上一页 第2章 半导体三极管 第2章 半导体三极管 本章要求： 1、了解三极管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 2、了解三极管放大电路的图解分析法；掌握小信号等效电路（微变等效电路）分析法； 3、掌握三极管的测试方法。 一、 晶体三极管的工作原理 1、结构与符号 结构： 有 3块杂质半导体组成2个PN结 类型： NPN型、PNP型 c N P N 集电区 基区 发射区 集电结 发射 结 b e B E C IB IE IC P N P NPN型 B E C IB IE IC PNP型 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 2、放大原理 ◆ 内部条件 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 ◆ 外部条件 3.三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IC ICBO 发射结正偏，发射区多子电子大量的向基区运动，并形成发射极电流IE。 进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。 从基区扩散来的电子进入集电区和集电区多子的运动一块形成ICE。 少子运动形成反向电流ICBO。 IB IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） β ? IC/IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 二、晶体三极管的特性曲线 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A c UBE RB IB EC – – + + b e UCE 特点:非线性 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 饱和区 截止区 （3）饱和区 当UCE? UBE时，晶体管工作于饱和状态。 在饱和区，?IB ?IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 动画 三、温度对特性曲线的影响 1、温度每增加10?C，ICBO增大一倍。硅管优于锗管。 2、温度每升高 1?C，UBE将减小 (2~2.5)mV， 即晶体管具有负温度系数。 3、温度每升高 1?C，? 增加 0.5%~1.0%。 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成发射极电路时， 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 1、电流放大系数 （2）.共基极电流放大系数 以三极管的基极作为输入回路和输出回路的公共端,称为共基极电路 VCC iE iC RE RC + - -