用阱作高阻漂移区LDMOS导通电阻解析模型.pdfVIP

第 26 卷 　第 10 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 10 2005 年 10 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Oct . ,2005 用阱作高阻漂移区的LDMOS 导通 电阻的解析模型 1 1 1 1 2 2 1 孟 　坚 　高 　珊 　陈军宁 　柯导明 　孙伟锋 　时龙兴 　徐 　超 ( 1 安徽大学电子科学与技术学院 , 合肥 　230039) (2 东南大学国家 A SIC 工程中心 , 南京 　2 10096) 摘要 : 分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMO S 的导通电阻 ,提出