第2章逻辑门电路1.ppt

2.4 MOS逻辑门 单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 主要介绍NMOS和CMOS门电路。 NMOS管的开关特性 MOS管和晶体管一样可以当开关用。 如图所示，RD为负载电阻，T为负载。 NMOS管的开关特性 当用增强型NMOS做工作管时，如输入电压vI为高电平（大于开启电压VT）则NMOS管导通，开关闭合，输出电压vO为低电平。 NMOS管的开关特性 输入电压vI为低电平时则NMOS管截止，开关断开，输出电压vO为高电平。 PMOS管的开关特性 ⒈ NMOS 门电路 ⑴NMOS 反相器 ⑵NMOS 与非门 ⑶NMOS 或非门 ⑷NMOS 与或非门 ⑸NMOS 异或门 ⑹NMOS 三态门 ⑴NMOS反相器 T1管为工作管(驱动管、控制管)，T2管为负载管，故此电路称为有源负载反相器。 ⑴NMOS反相器 饱和型负载反相器有两个缺点： ⑴NMOS反相器 非饱和型有源负载反相器如图2-26所示。 ⑵NMOS与非门 具有两个输入端的NMOS 与非门电路如图2-27所示。 ⑵NMOS与非门 具有两个输入端的NMOS 与非门电路如图2-27所示。 ⑶NMOS或非门 ⑶NMOS或非门 ⑶NMOS或非门 ⑷NMOS 与或非门 ⑷NMOS 与或非门 ⑷NMOS 与或非门 ⑸NMOS异或门 ⑸NMOS异或门 ⑹NMOS三态门 图2-31所示电路为NMOS三态门。 ⒉ CMOS门电路 CMOS: Complementary-Symmetry Metal-Oxide Semiconductor ⑴CMOS反相器 ⑵CMOS与非门 ⑶CMOS或非门 ⑷CMOS三态门 ⑸CMOS传输门 ⑴CMOS反相器 CMOS反相器是构成CMOS集成电路的基本单元。 如图2-32为CMOS反相器电路，是由互补的增强型NMOS管T1和PMOS管T2串联组成的。 ⑴CMOS反相器 ⑴CMOS反相器 vI输入低电平时：vI=VILVT1时，T1管截止。 但对于PMOS负载管: VG2较低，使|VGS||VT2|，因此T2充分导通。 ⑴CMOS反相器 由于T1的截止电阻远比T2的导通电阻大得多，所以电源电压差不多全部降落在工作管T1的漏源之间，使反相器输出高电平VOH≈VDD。 ⑴CMOS反相器 当vI=VIHVT1时，T1管导通。 但对于PMOS负载管：VG2较高，使|VGS||VT2|，因此T2管截止。 ⑴CMOS反相器 由于T2的截止时相当于一个大电阻，T1的导通电阻相当于一个较小的电阻，所以电源电压几乎全部降落在负载管T2上，使反相器输出低电平且很低，VOL≈0V。 特点（1） ⒈CMOS反相器的静态功耗非常小。 原因：由于CMOS反相器处于稳态时，无论是输出高电平还是输出低电平，其工作管和负载管必有一个截止而另一个导通，因此电源向反相器提供的仅为纳安级的漏电流，所以CMOS反相器的静态功耗非常小。 特点（2） ⒉CMOS反相器输出电压的上升时间和下降时间都比较小，电路的工作速度大为提高。 原因：由于CMOS反相器的工作管和负载管不同时导通，因此其输出电压不取决于两管的导通电阻之比。这样，通常可使PMOS负载管和NMOS工作管的导通电阻都较小。所以，CMOS反相器输出电压的上升时间和下降时间都比较小，电路的工作速度大为提高。 ⑵CMOS与非门 工作原理： ⑵CMOS与非门 工作原理： ⑶CMOS或非门 图2-34所示电路为两个输入端的CMOS或非门。 ⑶CMOS或非门 图2-34所示电路为两个输入端的CMOS或非门。 ⑷CMOS三态门 图2-35所示为三态输出门电路。 ⑷CMOS三态门 图2-35所示为三态输出门电路。 ⑸CMOS传输门 CMOS传输门是逻辑电路的一种基本单元电路，其功能是一种传输信号可控开关电路。 CMOS传输门电路如图2-36所示。 ⑸CMOS传输门 工作原理： ⑸CMOS传输门 工作原理： ⑸CMOS传输门 结论： 模拟开关 利用CMOS传输门和非门可构成模拟开关，如图2-37所示。 例： 当输入A、B至少有一个高电平时，并联的NMOS管T1和T2中至少有一个导通，串联的PMOS管T3、T4至少有一个截止，因此输出为低电平； 当输入A、B都为低电平时，并联NMOS管T1和T2都截止，串联PMOS管T3和T4都导通，于是电路输出为高电平。 电路的输入和输出之间是或非逻辑关系。 当控制端E为高电平时，NMOS管T1和PMOS管T4均截止，电路输出端