2.3MOS集成电路工艺基础.ppt

2.3 MOS集成电路工艺基础 在前面的讨论中，我们已看到多个晶体管的平面图形和剖面结构（图2-1），那么，它们是怎么在硅片上形成的呢?在这一节中，将介绍集成电路的基本加工工艺技术，稍后将介绍简化的CMOS集成电路加工工艺流程，并讨论有关的技术问题。 2.3.1 基本的集成电路加工工艺 2.3.2 集成电路生产线 2.3.3 深亚微米工艺特点 2.3.4 制造影响设计 2.3.5 CMOS集成电路加工过程简介 2.3.6 CMOS工艺的主要流程 2.3.7 Bi-CMOS工艺技术 2.3.8 体硅CMOS工艺设计中阱工艺的选择 2.3.1 基本的集成电路加工工艺 在计算机及其VLSI设计系统上设计完成的集成电路版图还只是一些图像或(和)数据，在将设计结果送到工艺线上实验时，还必须经过一个重要的中间环节：制版。所以，在介绍基本的集成电路加工工艺之前，先简要地介绍集成电路加工的掩模(Masks)及其制造。 通常我们看到的器件版图是一组复合图，这个复合图实际上是由若干个分层图形叠合而成，这个过程和印刷技术中的套印技术非常相像。 制版的目的就是产生一套分层的版图掩模，为将来进行图形转移，即将设计的版图转移到硅片上去做准备。 制版是通过图形发生器完成图形的缩小和重复。在设计完成集成电路的版图以后，设计者得到的是一组标准的制版数据，将这组数据传送给图形发生器(一种制版设备)，图形发生器（PG-pattern generator）根据数据，将设计的版图结果分层的转移到掩模版上(掩模版为涂有感光材料的优质玻璃板)，这个过程叫初缩。 在获得分层的初缩版后，再通过分步重复技术，在最终的掩模版上产生具有一定行数和列数的重复图形阵列，这样，在将来制作的每一个硅圆片(Wafer)上将有若干个集成电路芯片。通过这样的制版过程，就产生了若干块的集成电路分层掩模版。通常，一套掩模版有十儿块分层掩模版。集成电路的加工过程的复杂程度和制作周期在很大程度上与掩模版的多少有关。 集成电路的加工工艺过程是由若干单项加工工艺组合而成。下面将分别介绍这些单项加工工艺。 1．光刻与刻蚀工艺 光刻是加工集成电路微图形结构的关键工艺技术，通常，光刻次数越多，就意味着工艺越复杂。另—方面，光刻所能加工的线条越细，意味着工艺线水平越高。光刻工艺是完成在整个硅片上进行开窗的工作。 光刻技术类似于照片的印相技术，所不同的是，相纸上有感光材料，而硅片上的感光材料--光刻胶是通过旋涂技术在工艺中后加工的。光刻掩模相当于照相底片，一定的波长的光线通过这个“底片”，在光刻胶上形成与掩模版（光罩）图形相反的感光区，然后进行显影、定影、坚膜等步骤，在光刻胶膜上有的区域被溶解掉，有的区域保留下来，形成了版图图形。 如果光刻胶是正性胶(光致分解)，则光刻胶膜的图形与掩模版图形属性相同。 如果光刻胶是负性胶(光致聚合)，则光刻胶膜的图形与掩模版图形属性相反。 刻蚀是将光刻胶膜上的图形再转移到硅片上的技术。刻蚀的任务是将没有被光刻胶膜保护的硅片上层材料刻蚀掉。这些上层材料可能是二氧化硅、氮化硅、多晶硅或者是金属层等。刻蚀分为干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术，湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。 干法刻蚀借助等离子体中，产生的粒子轰击刻蚀区，是各向异性的刻蚀技术，即在被刻蚀的区域内，各个方向上的刻蚀速度不相同。湿法刻蚀是各向同性的刻蚀方法，利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料。通常，氮化硅、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术，二氧化硅采用湿法刻蚀技术，有时金属铝也采用湿法刻蚀技术。通过刻蚀，或者是形成了图形线条，如多晶硅条、铝条等，或者是裸露了硅本体，为将来的选择掺杂确定了掺杂的窗口。 虽然，光刻和刻蚀是两个不同的加工工艺，但因为这两个工艺只有连续进行，才能完成真正意义上的图形转移。在工艺线上，这两个工艺是放在同一工序，因此，有时也将这两个工艺步骤统称为光刻。 2．掺杂工艺 通过掺杂可以在硅衬底上形成不同类型的半导体区域，构成各种器件结构。掺杂工艺的基本思想就是通过某种技术措施，将一定浓度的Ⅲ价元素，如硼，或Ⅴ价元素，如磷、砷等掺入半导体衬底。 例如，在N型衬底上掺硼，可以使原先的N型衬底电子浓度变小，或使N型衬底改变成P型；如在N型衬底表面掺磷，可以提高衬底的表面杂质浓度。 掺杂分为热扩散法掺杂和离子注入法掺杂。由光刻工艺(刻蚀)为掺杂确定掺杂的区域，在需要掺杂处(即掺杂窗口)裸露出硅衬底，非掺杂区则用一定厚度的二氧化硅或者氮化硅等薄膜材料进行屏蔽。离子注入则常采用一定厚度的二氧化硅、光刻胶或这两层材料同时作为掺杂屏蔽。