电子行业标准《串行存储器接口要求》.doc

电子行业标准《串行存储器接口要求稿工作简况包括任务来源5年3月审核通过了《串行存储器接口要求2015-0225T-SJ，文件号：工信厅科[2015]182号。项目名称：《串行存储器接口要求7年，主要起草单位：北京兆易创新科技股份有限公司 闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（其中，NOR Flash 为字节存储），区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，与EEPROM不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。 现在市场上两种主要的非易失闪存技术分别为NOR Flash 和 NAND Flash。NOR的特点是芯片内执行，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。 参加单位： 北京兆易创新科技股份有限公司，大学微电子所，，海尔，深圳海思半导体有限公司，微电子公司，展讯，国芯，，，中天联科，长沙主要工作过程Flash技术以及产品的开发，在细分领域不断推出最具全球竞争力的产品，目前已经成为SPI接口NOR型Flash领域的领先厂商之一，市场份额达到国内第一, 全球第三，客户包括因特尔、三星、东芝、华为、联想、中兴等国内外大厂。在提出立项之前，NAND Flash领域，我司致力于创新产品取得后发优势同国际大厂竞争。我司于2012年底创新的推出全球第一颗高性能，低成本的SPI接口NAND Flash，并制定我们自己的企业标准。产品NAND Flash，具备成本低，易集成，性能高，兼容性好特点，在市场上取得了良好反响，众多系统厂商如国内华为海思，中兴，展讯，RDA以及全球Broadcom，Marvel，MTK，Mstar等主芯片很快大量采用。 在提出立项申请并获批后，兆易即刻成立了标准编制小组，并召集相关技术人员进行通报和部署该行业标准起草的准备工作。通过公司内部参与单位间的电话邮件沟通，我们已有企业标准，范围、标准内容5年4月，完成了标准草案初稿。之后，提交标准初稿至电子工业部标准化研究所标准编制原则和主要内容厂商接口组织架构，，说明基于现有企业标准，又考虑到器件电路数字集成电路》包括封装形式，封装说明信号描述，接口类型，地址分配格式组织架构存储器组织架构包括存储阵列结构，备用区选择，坏块缺陷要求，一次编程存储区域要求，CC校验位要求等。 指令定义包括了对存储器进行读写擦的所有指令的指令码，发送流程以及图标说明。说明 参数说明对存储器中所有的参数定义做了详细说明。存储器的接口做了规定，对使用中电压等方面做了要求闪存存储器家族，了行业标准中存储器空白接口主要试验（或验证）情况分析领域已经做很好，庞大的客户群，对接口了解非常到位联合上下游企业，贯彻产、学、研、用思想，依托企业标准及的规定，充分讨论了接口要求，确保知识产权说明产业化情况、推广应用论证和预期达到的经济效果等情况于厂商来说，的同一种产品SPI接口NAND也需要相应的标准来规范Flash生产厂商，主芯片厂商，以及最终系统厂商，保证这个新型存储器产业健康规范发展，并且能保持中国公司在这个市场上的领先地位。因此迫切需要制定国内行业标准，进而主导推动制定国际行业标准，在该领域保持和扩大话语权。 从产品上看，我司SPI接口NAND在全球范围内处于领先地位。我司为首家推出支持4口，接口频率达到104Mhz以上，封装为WSON8形式，并且在市场迅速推广开来。目前国内还没有其他厂家推出此产品，但是后续台湾以及韩国厂商已经迅速跟进推出类似产品，包括排名全球第一和第二的的NOR Flash厂商MXIC和Winbond，并且MTK，Mstar，另外华为海思，中兴，Broadcom，Marvel等国内外大厂对SPI NAND Flash的支持和应用，都证明了众多厂商对这种技术的肯定和看好。 存储器，顾名思义其功能是储存信息。半导体存储器指的是固态的存储器，应用非常广泛，凡是需要存储信息的地方，比如手机、相机、电脑、机顶盒、电视、汽车等等等等，都需要存储器。存储器分为挥发存储器和非挥发存储器。所谓挥发存储器 是指掉电以后数据不能保存的存储器，例如SRAM和DRAM。所谓非挥发