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综述与动态
单层膜的巨磁阻抗 GMI 效应
董承远 陈世朴
上海交通大学 材料科学与工程学院 上海 200030
摘 要 巨磁阻抗软磁薄膜因为在制备上与集成电路工艺具有兼容性而在传感器等工程领域具有广阔的
应用前景 综述了单层膜的研究现状 着重讨论了横向各向异性 驱动电流和外加磁场方向对巨磁阻抗效应的
影响 并且从理论上讨论了GMI 效应的物理本质
关键词 巨磁阻抗效应 单层膜 趋肤效应
中图分类号 O484.4 3 文献标识码 A 文章编号 1001-3830(2002)03-0020-04
Giant Magneto-Impedance (GMI) Effect of Single-layer Film
DONG Cheng-yuan CHEN Shi-pu
Materials Science and Engineering College, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200030, China
Abstract GMI films are sure to be widely used in the field of sensors for its compatibility with IC technology.
This paper summaries the studies of GMI effect of single-layer film, in particular discussing the influences of
transversal anisotropy, frequency of driving current and the direction of applied field on GMI effect. The origin of giant
magneto-impedance effect of single-layer film is also introduced in terms of theory.
Key words giant magneto-impedance effect single-layer film skin effect
纵向 而与此垂直的样品宽度方向则称为 横
1 引言
向 一般认为 薄膜中具有横向各向异性有利
[1] [3]
自从巨磁阻抗 GMI 效应被发现以来 因 于获得显著的巨磁阻抗效应
为其在传感器及磁记录领域内具有很好的应用前 [4]
Uchiyama 等人 在(CoFe)80B20 非晶薄膜中采
景 所以科学工作者对其展开了广泛的研究 从材 用以下三种热处理工艺以获得了不同的各向异
料的形态上区分 具有巨磁阻抗效应的材料可分为 性 1 在16kA/m(200 Oe) 10Hz 的旋转磁场下
丝状 带状和薄膜状三种 后者又可分为单层膜和 退火 1h 退火温度为250 2 在 1 的基础
多层膜两种 目前 对于单层膜的实验研究与观察 上在 5.6kA/m(70 Oe)的横向磁场下退火 3 在
很少 这可能是因为薄膜样品不易制备 且测试条 1 的基础上在电流强度为 50mA 的直流下退
件要求较高的缘故 影响单层膜 GMI 效应的
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